半导体器件电容器的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910203154.X

申请日：

2009-06-05

公开(公告)号：

CN101599426A

公开(公告)日：

2009-12-09

发明(设计)人：

梁泽承

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L2128 C23F400

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：

吴小瑛;刘春生

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-06-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101081687800 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:200910203154X 申请日:20090605
2013-06-12	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101608617063 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:200910203154X 申请公布日:20091209
2009-12-09	公开	公开

共 50 条

[1]

制造半导体器件电容器的方法和半导体器件电容器 [P].

金京民 ;

金东俊 ;

李光云 .

中国专利 :CN1819155A ,2006-08-16

[2]

电容器及其制造方法、半导体器件 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN111261774A ,2020-06-09

[3]

半导体器件的电容器及其制造方法 [P].

朴星昊 ;

李正贤 .

中国专利 :CN1630085A ,2005-06-22

[4]

制造电容器和半导体器件的方法 [P].

沈愚锡 ;

林泳旭 ;

李重泫 ;

尹广燮 ;

金喆浩 ;

朴兑津 .

中国专利 :CN1801476A ,2006-07-12

[5]

制造半导体器件电容器的方法 [P].

崔璟根 .

中国专利 :CN1256511A ,2000-06-14

[6]

制造半导体器件电容器的方法 [P].

崔璟根 .

中国专利 :CN1054702C ,1997-02-19

[7]

制造用于半导体器件的电容器的方法 [P].

韩昌勋 .

中国专利 :CN1897222B ,2007-01-17

[8]

电容器元件、半导体器件及其制造方法 [P].

南相釪 .

中国专利 :CN1979850B ,2007-06-13

[9]

在半导体器件中制造电容器的方法 [P].

朴哲焕 ;

朴东洙 ;

李银儿 ;

徐惠真 .

中国专利 :CN100555565C ,2009-10-28

[10]

具有电容器的半导体器件及其制造方法 [P].

梁飞龙 ;

洪锡敬 ;

李承锡 ;

姜南守 .

中国专利 :CN1173407C ,2001-07-04

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