半导体器件的电容器的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03122556.X

申请日：

2003-04-18

公开(公告)号：

CN1329975C

公开(公告)日：

2004-01-14

发明(设计)人：

朴钟范吴勋静金京民

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2182

IPC分类号：

H01L2128 H01L2131

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

李晓舒;魏晓刚

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-06-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101582879246 IPC(主分类):H01L 21/82 专利号:ZL03122556X 申请日:20030418 授权公告日:20070801 终止日期:20130418
2004-08-25	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-08-01	授权	授权
2004-01-14	公开	公开

共 50 条

[1]

制造半导体器件电容器的方法和半导体器件电容器 [P].

金京民 ;

金东俊 ;

李光云 .

中国专利 :CN1819155A ,2006-08-16

[2]

半导体器件的电容器及其制造方法 [P].

梁泽承 .

中国专利 :CN101599509A ,2009-12-09

[3]

半导体器件的电容器的制造方法 [P].

李起正 ;

朱光喆 .

中国专利 :CN1187810C ,2001-05-16

[4]

制造半导体器件电容器的方法 [P].

崔璟根 .

中国专利 :CN1256511A ,2000-06-14

[5]

形成半导体器件的电容器的方法 [P].

金奎显 ;

尹孝根 ;

崔根敏 .

中国专利 :CN1667796A ,2005-09-14

[6]

形成半导体器件的电容器的方法 [P].

李起正 .

中国专利 :CN1716534A ,2006-01-04

[7]

形成半导体器件的电容器的方法 [P].

李起正 .

中国专利 :CN1722384A ,2006-01-18

[8]

制造半导体器件电容器的方法 [P].

崔璟根 .

中国专利 :CN1054702C ,1997-02-19

[9]

半导体器件电容器的制造方法 [P].

梁泽承 .

中国专利 :CN101599426A ,2009-12-09

[10]

半导体器件的电容器制造方法 [P].

李起正 ;

梁洪善 .

中国专利 :CN1172362C ,2002-07-31

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