电容器、半导体装置及半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311273190.X

申请日：

2018-01-18

公开(公告)号：

CN117355134A

公开(公告)日：

2024-01-05

发明(设计)人：

佐藤优一方堂凉太饭田裕太森若智昭

申请人：

株式会社半导体能源研究所

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H10B12/00

IPC分类号：

H10B41/20 H10B41/70 H01L21/28 H01L21/336 H01L29/417 H01L29/423 H01L29/49 H01L29/786 H01L29/788 H01L29/792

代理机构：

中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038

代理人：

程晨

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

电容器、半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

佐藤优一 ;

方堂凉太 ;

饭田裕太 ;

森若智昭 .

中国专利 :CN110199386A ,2019-09-03

[2]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

方堂凉太 ;

远藤俊弥 ;

中野贤 ;

泽井宽美 ;

山崎舜平 .

日本专利 :CN118872402A ,2024-10-29

[3]

电容器及半导体装置 [P].

李逸哲 ;

陈品如 ;

邱维刚 ;

黄彦杰 ;

郑凯文 ;

黄怀莹 ;

林佑明 .

中国专利 :CN223193813U ,2025-08-05

[4]

制造半导体电容器的方法 [P].

王贤愈 ;

黄志坚 ;

吴坤霖 .

中国专利 :CN1336685A ,2002-02-20

[5]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

大贯达也 ;

加藤清 ;

国武宽司 ;

方堂凉太 .

日本专利 :CN118696612A ,2024-09-24

[6]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

大贯达也 ;

加藤清 ;

国武宽司 ;

方堂凉太 .

日本专利 :CN118679862A ,2024-09-20

[7]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

松林大介 ;

加藤清 ;

栃林克明 ;

长塚修平 .

中国专利 :CN110506328A ,2019-11-26

[8]

包括电容器的半导体装置和制造半导体装置的方法 [P].

赵基熙 ;

姜埈求 ;

姜相列 ;

李炫锡 .

中国专利 :CN111755603A ,2020-10-09

[9]

包括电容器的半导体装置和制造半导体装置的方法 [P].

赵基熙 ;

姜埈求 ;

姜相列 ;

李炫锡 .

韩国专利 :CN111755603B ,2025-02-07

[10]

电容器和半导体装置 [P].

季明华 .

中国专利 :CN2710165Y ,2005-07-13

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-01-23	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 12/00申请日:20180118
2024-01-05	公开	公开