包括电容器的半导体装置和制造半导体装置的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911307841.6

申请日：

2019-12-18

公开(公告)号：

CN111755603B

公开(公告)日：

2025-02-07

发明(设计)人：

赵基熙姜埈求姜相列李炫锡

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道水原市

IPC主分类号：

H10D1/68

IPC分类号：

H01L23/64

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

刘美华;刘灿强

法律状态：

授权

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-07	授权	授权

共 50 条

[1]

包括电容器的半导体装置和制造半导体装置的方法 [P].

赵基熙 ;

姜埈求 ;

姜相列 ;

李炫锡 .

中国专利 :CN111755603A ,2020-10-09

[2]

电容器和包括该电容器的半导体装置 [P].

郑圭镐 ;

闵淙渶 ;

白智叡 ;

朴晙晳 ;

李叡璱 ;

李眞旭 .

韩国专利 :CN119012905A ,2024-11-22

[3]

制造半导体器件电容器的方法和半导体器件电容器 [P].

金京民 ;

金东俊 ;

李光云 .

中国专利 :CN1819155A ,2006-08-16

[4]

电容器结构和包括该电容器结构的半导体装置 [P].

李珍秀 ;

姜政佑 ;

韩东旭 ;

金荷怜 ;

林义郎 .

韩国专利 :CN118382290A ,2024-07-23

[5]

电容器结构和包括该电容器结构的半导体装置 [P].

朴正敏 ;

金海龙 ;

金润洙 ;

朴影根 .

中国专利 :CN112993158A ,2021-06-18

[6]

制造半导体装置的电容器的方法 [P].

李南宰 ;

朴启淳 .

中国专利 :CN1577799A ,2005-02-09

[7]

电容器、半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

佐藤优一 ;

方堂凉太 ;

饭田裕太 ;

森若智昭 .

日本专利 :CN117355134A ,2024-01-05

[8]

电容器、半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

佐藤优一 ;

方堂凉太 ;

饭田裕太 ;

森若智昭 .

中国专利 :CN110199386A ,2019-09-03

[9]

包括电容器的半导体装置及其制造方法 [P].

禹政旭 ;

金世渊 ;

成旼哲 ;

李錬圭 ;

金度希 ;

金慈容 .

韩国专利 :CN117995827A ,2024-05-07

[10]

在半导体装置中制造电容器的方法 [P].

李起正 ;

卢载盛 .

中国专利 :CN1627499A ,2005-06-15

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