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制造半导体装置的电容器的方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN200410031064.4
申请日：
2004-04-12
公开(公告)号：
CN1577799A
公开(公告)日：
2005-02-09
发明(设计)人：
李南宰 朴启淳
申请人：
申请人地址：
韩国京畿道
IPC主分类号：
H01L2182
IPC分类号：
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：
王学强
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2005-04-13 实质审查的生效 实质审查的生效
2005-02-09 公开 公开
2007-03-28 授权 授权
共 50 条
[1]
包括电容器的半导体装置和制造半导体装置的方法 [P]. 
赵基熙 ;
姜埈求 ;
姜相列 ;
李炫锡 .
中国专利 :CN111755603A ,2020-10-09
[2]
包括电容器的半导体装置和制造半导体装置的方法 [P]. 
赵基熙 ;
姜埈求 ;
姜相列 ;
李炫锡 .
韩国专利 :CN111755603B ,2025-02-07
[3]
半导体装置的电容器的制造方法 [P]. 
申东旴 ;
崔亨福 ;
李锺旼 ;
金真雄 .
中国专利 :CN1542945A ,2004-11-03
[4]
半导体装置的电容器的制造方法 [P]. 
李起正 ;
梁洪善 .
中国专利 :CN1307359A ,2001-08-08
[5]
半导体装置的电容器的制造方法 [P]. 
李起正 ;
金东俊 .
中国专利 :CN1172361C ,2001-08-01
[6]
制造半导体器件电容器的方法和半导体器件电容器 [P]. 
金京民 ;
金东俊 ;
李光云 .
中国专利 :CN1819155A ,2006-08-16
[7]
在半导体装置中制造电容器的方法 [P]. 
李起正 ;
卢载盛 .
中国专利 :CN1627499A ,2005-06-15
[8]
电容器、半导体装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
佐藤优一 ;
方堂凉太 ;
饭田裕太 ;
森若智昭 .
中国专利 :CN110199386A ,2019-09-03
[9]
电容器、半导体装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
佐藤优一 ;
方堂凉太 ;
饭田裕太 ;
森若智昭 .
日本专利 :CN117355134A ,2024-01-05
[10]
用于制造半导体电容器的方法 [P]. 
韩熙 ;
金璟晙 ;
崔棅圭 .
中国专利 :CN101689549A ,2010-03-31
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