制造半导体陶瓷电容器基片用组合烧结炉

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN99236420.5
申请日
1999-06-24
公开(公告)号
CN2389891Y
公开(公告)日
2000-08-02
发明(设计)人
章士瀛 赵俊斌 陈荣春
申请人
申请人地址
523077广东省东莞市篁村电子工业开发区
IPC主分类号
C04B3564
IPC分类号
F27B904
代理机构
东莞市专利事务所
代理人
李卫平
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体陶瓷电容器还原烧成炉 [P]. 
李言 ;
黄瑞南 ;
林榕 .
中国专利 :CN203364599U ,2013-12-25
[2]
半导体陶瓷电容器 [P]. 
小野秀一 ;
板垣秋一 ;
矢作正博 ;
古川喜代志 ;
藤原忍 ;
及川泰伸 .
中国专利 :CN1046635A ,1990-10-31
[3]
晶界绝缘型半导体陶瓷、半导体陶瓷电容器以及半导体陶瓷电容器的制造方法 [P]. 
立川勉 .
中国专利 :CN102649642B ,2012-08-29
[4]
半导体陶瓷、层叠型半导体陶瓷电容器、半导体陶瓷的制造方法、层叠型的半导体陶瓷电容器的制造方法 [P]. 
川本光俊 .
中国专利 :CN101346325B ,2009-01-14
[5]
半导体陶瓷电容器的基片生产工艺 [P]. 
章士瀛 ;
赵俊斌 ;
陈荣春 .
中国专利 :CN1279489A ,2001-01-10
[6]
半导体陶瓷电容器还原烧成炉的炉膛 [P]. 
李言 ;
黄瑞南 ;
林榕 .
中国专利 :CN203364595U ,2013-12-25
[7]
半导体陶瓷电容器还原烧成炉的气体供给装置 [P]. 
李言 ;
黄瑞南 ;
林榕 .
中国专利 :CN203364622U ,2013-12-25
[8]
层叠型半导体陶瓷电容器的制造方法、以及层叠型半导体陶瓷电容器 [P]. 
川本光俊 .
中国专利 :CN103098157B ,2013-05-08
[9]
半导体陶瓷和层叠型半导体陶瓷电容器 [P]. 
石井辰也 ;
增田健一郎 ;
日高重和 ;
夏井秀定 ;
塚田岳夫 .
中国专利 :CN102731089A ,2012-10-17
[10]
陶瓷粉末、半导体陶瓷电容器及其制造方法 [P]. 
川本光俊 ;
佐野笃史 ;
石川达也 ;
小林靖知 ;
藤田吉宏 ;
木村祐树 ;
草野雄一 .
中国专利 :CN103608881B ,2014-02-26