垂直沟道半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510195445.4

申请日：

2015-04-23

公开(公告)号：

CN106158756B

公开(公告)日：

2016-11-23

发明(设计)人：

金承焕

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2978 H01L27108 H01L27115

代理机构：

北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363

代理人：

俞波;周晓雨

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-07-28	授权	授权
2016-11-23	公开	公开
2017-09-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101749595290 IPC(主分类):H01L 21/8247 专利申请号:2015101954454 申请日:20150423

共 50 条

[1]

具有垂直沟道的半导体器件 [P].

赵子群 ;

许有志 .

中国专利 :CN204885171U ,2015-12-16

[2]

具有垂直沟道的半导体器件 [P].

赵子群 ;

许有志 .

中国专利 :CN105322019A ,2016-02-10

[3]

垂直沟道半导体器件及其制造方法 [P].

尹在万 ;

朴东建 ;

李忠浩 ;

金圣求 ;

李元锡 ;

朴承培 .

中国专利 :CN1897305A ,2007-01-17

[4]

具有垂直沟道结构的半导体器件 [P].

李昌炫 ;

朴镇泽 ;

朴泳雨 .

中国专利 :CN104425511A ,2015-03-18

[5]

混合沟道半导体器件 [P].

尹海洲 ;

朱慧珑 ;

骆志炯 .

中国专利 :CN202601603U ,2012-12-12

[6]

竖直沟道半导体器件 [P].

F·G·门塔 ;

S·皮萨诺 .

中国专利 :CN207637805U ,2018-07-20

[7]

垂直半导体器件 [P].

宋旼莹 ;

姜昌锡 .

中国专利 :CN109768048A ,2019-05-17

[8]

垂直半导体器件 [P].

金万中 .

中国专利 :CN112563285A ,2021-03-26

[9]

垂直半导体器件 [P].

宋旼莹 ;

姜昌锡 .

韩国专利 :CN109768048B ,2024-09-17

[10]

垂直半导体器件 [P].

李炅奂 ;

金容锡 ;

金泰勋 ;

朴硕汉 ;

山田悟 ;

洪载昊 .

韩国专利 :CN112086462B ,2025-03-21

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