具有垂直沟道的半导体器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201520470368.4

申请日：

2015-07-02

公开(公告)号：

CN204885171U

公开(公告)日：

2015-12-16

发明(设计)人：

赵子群许有志

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2908 H01L2910

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

田喜庆

法律状态：

避免重复授权放弃专利权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-05	避免重复授权放弃专利权	避免重复授予专利权 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20150702 授权公告日:20151216 放弃生效日:20190405
2018-11-06	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/78 登记生效日:20181018 变更事项:专利权人变更前权利人:安华高科技通用IP(新加坡)公司变更后权利人:安华高科技股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:新加坡新加坡市变更后权利人:新加坡新加坡市
2015-12-16	授权	授权
2017-03-22	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101748793337 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL2015204703684 登记生效日:20170302 变更事项:专利权人变更前权利人:美国博通公司变更后权利人:安华高科技通用IP(新加坡)公司变更事项:地址变更前权利人:美国加利福尼亚州变更后权利人:新加坡新加坡市

共 50 条

[1]

具有垂直沟道的半导体器件 [P].

赵子群 ;

许有志 .

中国专利 :CN105322019A ,2016-02-10

[2]

具有垂直沟道结构的半导体器件 [P].

李昌炫 ;

朴镇泽 ;

朴泳雨 .

中国专利 :CN104425511A ,2015-03-18

[3]

垂直沟道半导体器件 [P].

金承焕 .

中国专利 :CN106158756B ,2016-11-23

[4]

具有垂直沟道的半导体器件及其制造方法 [P].

金龙成 ;

郑泰荣 ;

申树浩 .

中国专利 :CN1897255B ,2007-01-17

[5]

具有垂直沟道的半导体器件及其制造方法 [P].

尹在万 ;

金奉秀 ;

徐亨源 ;

李康润 .

中国专利 :CN101017825A ,2007-08-15

[6]

具有多沟道的半导体器件 [P].

李正允 ;

梁光容 ;

慎居明 ;

郑显秀 ;

李庸硕 .

中国专利 :CN107017295A ,2017-08-04

[7]

制造具有垂直沟道的半导体器件的方法 [P].

李敏硕 ;

李洪求 .

中国专利 :CN101335243A ,2008-12-31

[8]

混合沟道半导体器件 [P].

尹海洲 ;

朱慧珑 ;

骆志炯 .

中国专利 :CN202601603U ,2012-12-12

[9]

垂直型半导体器件 [P].

李升埈 ;

李云京 .

中国专利 :CN101740579A ,2010-06-16

[10]

垂直沟道半导体器件及其制造方法 [P].

尹在万 ;

朴东建 ;

李忠浩 ;

金圣求 ;

李元锡 ;

朴承培 .

中国专利 :CN1897305A ,2007-01-17

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