具有多沟道的半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610903349.5

申请日：

2016-10-18

公开(公告)号：

CN107017295A

公开(公告)日：

2017-08-04

发明(设计)人：

李正允梁光容慎居明郑显秀李庸硕

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2910

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

翟然

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-08-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101744598424 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2016109033495 申请日:20161018
2017-08-04	公开	公开
2020-07-14	授权	授权

共 50 条

[1]

具有沟道结构的半导体器件 [P].

河宪俊 ;

金炫兑 ;

朴茁发 .

韩国专利 :CN120129235A ,2025-06-10

[2]

具有沟道区的半导体器件 [P].

宋升珉 ;

朴雨锡 ;

裴金钟 ;

裴东一 ;

梁正吉 .

中国专利 :CN108269849B ,2018-07-10

[3]

具有垂直沟道的半导体器件 [P].

赵子群 ;

许有志 .

中国专利 :CN204885171U ,2015-12-16

[4]

具有垂直沟道的半导体器件 [P].

赵子群 ;

许有志 .

中国专利 :CN105322019A ,2016-02-10

[5]

混合沟道半导体器件 [P].

尹海洲 ;

朱慧珑 ;

骆志炯 .

中国专利 :CN202601603U ,2012-12-12

[6]

具有多沟道有源区的半导体器件 [P].

金文铉 ;

郑舜文 ;

河大元 .

中国专利 :CN114068532A ,2022-02-18

[7]

具有改进沟道结构的半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

叶甜春 ;

范泽昱 ;

罗军 ;

许静 ;

童克友 ;

赵星 ;

许滨滨 .

中国专利 :CN120614840A ,2025-09-09

[8]

具有垂直沟道结构的半导体器件 [P].

李昌炫 ;

朴镇泽 ;

朴泳雨 .

中国专利 :CN104425511A ,2015-03-18

[9]

包括沟道结构的半导体器件 [P].

孙龙勋 ;

金润载 ;

南硕祐 .

中国专利 :CN108074935A ,2018-05-25

[10]

具有垂直沟道的半导体器件及其制造方法 [P].

金龙成 ;

郑泰荣 ;

申树浩 .

中国专利 :CN1897255B ,2007-01-17

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