制造具有垂直沟道的半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710308384.3

申请日：

2007-12-29

公开(公告)号：

CN101335243A

公开(公告)日：

2008-12-31

发明(设计)人：

李敏硕李洪求

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道利川市

IPC主分类号：

H01L218242

IPC分类号：

H01L21768

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

刘继富;顾晋伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-06-16	授权	授权
2015-02-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101599304578 IPC(主分类):H01L 21/8242 专利号:ZL2007103083843 申请日:20071229 授权公告日:20100616 终止日期:20131229
2008-12-31	公开	公开

共 50 条

[1]

具有垂直沟道的半导体器件及其制造方法 [P].

朴星一 ;

刘庭均 ;

李东勳 ;

李允逸 .

中国专利 :CN109494220A ,2019-03-19

[2]

具有垂直沟道的半导体器件及其制造方法 [P].

金龙成 ;

郑泰荣 ;

申树浩 .

中国专利 :CN1897255B ,2007-01-17

[3]

具有垂直沟道的半导体器件及其制造方法 [P].

尹在万 ;

金奉秀 ;

徐亨源 ;

李康润 .

中国专利 :CN101017825A ,2007-08-15

[4]

具有垂直沟道的半导体器件 [P].

赵子群 ;

许有志 .

中国专利 :CN204885171U ,2015-12-16

[5]

具有垂直沟道的半导体器件 [P].

赵子群 ;

许有志 .

中国专利 :CN105322019A ,2016-02-10

[6]

具有垂直沟道结构的半导体器件及其制造方法 [P].

李昌炫 ;

朴镇泽 ;

朴泳雨 .

中国专利 :CN110600479A ,2019-12-20

[7]

具有垂直沟道结构的半导体器件 [P].

李昌炫 ;

朴镇泽 ;

朴泳雨 .

中国专利 :CN104425511A ,2015-03-18

[8]

垂直沟道半导体器件及其制造方法 [P].

尹在万 ;

朴东建 ;

李忠浩 ;

金圣求 ;

李元锡 ;

朴承培 .

中国专利 :CN1897305A ,2007-01-17

[9]

具有垂直沟道晶体管的半导体器件的制造方法 [P].

曹祥薰 .

中国专利 :CN101471304B ,2009-07-01

[10]

制造具有垂直沟道晶体管的半导体器件的方法 [P].

李敏硕 .

中国专利 :CN101335241B ,2008-12-31

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