制造具有垂直沟道晶体管的半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710198777.3

申请日：

2007-12-12

公开(公告)号：

CN101335241B

公开(公告)日：

2008-12-31

发明(设计)人：

李敏硕

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道利川市

IPC主分类号：

H01L218242

IPC分类号：

H01L21768

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

刘继富;顾晋伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-12-31	公开	公开
2015-02-04	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101597013905 IPC(主分类):H01L 21/8242 专利号:ZL2007101987773 申请日:20071212 授权公告日:20100630 终止日期:20131212
2010-06-30	授权	授权
2009-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

具有垂直沟道晶体管的半导体器件的制造方法 [P].

曹祥薰 .

中国专利 :CN101471304B ,2009-07-01

[2]

具有垂直沟道晶体管的半导体器件及其制造方法 [P].

成敏圭 ;

赵兴在 ;

金龙水 ;

林宽容 ;

张世亿 .

中国专利 :CN101425515A ,2009-05-06

[3]

具有垂直沟道晶体管的半导体器件及其制造方法 [P].

张世亿 ;

梁洪善 ;

赵兴在 ;

成敏圭 ;

金泰润 ;

金叔洲 .

中国专利 :CN101521204A ,2009-09-02

[4]

具有垂直沟道晶体管的半导体器件及其制造方法 [P].

金大益 ;

吴容哲 ;

黄有商 ;

曹永丞 ;

郑铉雨 .

中国专利 :CN102446920A ,2012-05-09

[5]

具有垂直沟道晶体管的半导体器件及其制造方法 [P].

赵兴在 ;

金泰润 .

中国专利 :CN103531479B ,2014-01-22

[6]

制造半导体器件中的垂直沟道晶体管的方法 [P].

李洪求 .

中国专利 :CN101471290A ,2009-07-01

[7]

制造包括垂直沟道晶体管的半导体器件的方法 [P].

姜相吉 .

中国专利 :CN101740500B ,2010-06-16

[8]

包括垂直沟道晶体管的半导体器件 [P].

赵炯纪 ;

卞诚载 .

韩国专利 :CN119907235A ,2025-04-29

[9]

在半导体器件中制造垂直沟道晶体管的方法 [P].

赵俊熙 ;

朴相勋 .

中国专利 :CN101465294B ,2009-06-24

[10]

具有垂直沟道晶体管的半导体存储器件及其制造方法 [P].

金大益 ;

洪亨善 ;

黄有商 ;

郑铉雨 .

中国专利 :CN102446919B ,2012-05-09

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