包括垂直沟道晶体管的半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410800375.X

申请日：

2024-06-20

公开(公告)号：

CN119907235A

公开(公告)日：

2025-04-29

发明(设计)人：

赵炯纪卞诚载

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道水原市

IPC主分类号：

H10B12/00

IPC分类号：

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

史泉;黄晓燕

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-29	公开	公开

共 50 条

[1]

制造包括垂直沟道晶体管的半导体器件的方法 [P].

姜相吉 .

中国专利 :CN101740500B ,2010-06-16

[2]

垂直沟道晶体管以及包括垂直沟道晶体管的存储器件 [P].

金真怜 ;

宋基焕 .

中国专利 :CN101150132B ,2008-03-26

[3]

包括垂直沟道晶体管的半导体装置 [P].

郑文泳 .

韩国专利 :CN120512887A ,2025-08-19

[4]

包括掩埋沟道阵列晶体管的半导体器件 [P].

蔡教锡 ;

林兑旭 ;

魏圣柱 ;

占承基 .

韩国专利 :CN120857610A ,2025-10-28

[5]

在半导体器件中制造垂直沟道晶体管的方法 [P].

赵俊熙 ;

朴相勋 .

中国专利 :CN101465294B ,2009-06-24

[6]

多方向沟道晶体管和包括多方向沟道晶体管的半导体器件 [P].

丁海仁 ;

郑文泳 ;

韩俊 ;

山田悟 .

韩国专利 :CN111725314B ,2024-02-23

[7]

多方向沟道晶体管和包括多方向沟道晶体管的半导体器件 [P].

丁海仁 ;

郑文泳 ;

韩俊 ;

山田悟 .

中国专利 :CN111725314A ,2020-09-29

[8]

具有垂直沟道晶体管的半导体器件的制造方法 [P].

曹祥薰 .

中国专利 :CN101471304B ,2009-07-01

[9]

制造具有垂直沟道晶体管的半导体器件的方法 [P].

李敏硕 .

中国专利 :CN101335241B ,2008-12-31

[10]

制造半导体器件中的垂直沟道晶体管的方法 [P].

李洪求 .

中国专利 :CN101471290A ,2009-07-01

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