多方向沟道晶体管和包括多方向沟道晶体管的半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910987953.4

申请日：

2019-10-17

公开(公告)号：

CN111725314B

公开(公告)日：

2024-02-23

发明(设计)人：

丁海仁郑文泳韩俊山田悟

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/10 H01L27/088

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

屈玉华

法律状态：

授权

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-02-23	授权	授权

共 50 条

[1]

多方向沟道晶体管和包括多方向沟道晶体管的半导体器件 [P].

丁海仁 ;

郑文泳 ;

韩俊 ;

山田悟 .

中国专利 :CN111725314A ,2020-09-29

[2]

包括垂直沟道晶体管的半导体器件 [P].

赵炯纪 ;

卞诚载 .

韩国专利 :CN119907235A ,2025-04-29

[3]

垂直沟道晶体管以及包括垂直沟道晶体管的存储器件 [P].

金真怜 ;

宋基焕 .

中国专利 :CN101150132B ,2008-03-26

[4]

包括掩埋沟道阵列晶体管的半导体器件 [P].

蔡教锡 ;

林兑旭 ;

魏圣柱 ;

占承基 .

韩国专利 :CN120857610A ,2025-10-28

[5]

包括垂直沟道晶体管的半导体装置 [P].

郑文泳 .

韩国专利 :CN120512887A ,2025-08-19

[6]

制造包括垂直沟道晶体管的半导体器件的方法 [P].

姜相吉 .

中国专利 :CN101740500B ,2010-06-16

[7]

垂直沟道晶体管 [P].

陈逸男 ;

徐文吉 ;

叶绍文 ;

刘献文 .

中国专利 :CN103378127B ,2013-10-30

[8]

多沟道晶体管 [P].

格雷戈里·布宁 ;

塔玛拉·巴克什特 .

中国专利 :CN105247680A ,2016-01-13

[9]

包括竖直沟道晶体管、位线和外围栅极的半导体器件 [P].

慎重赞 ;

李基硕 ;

朴硕汉 ;

申硕浩 .

韩国专利 :CN118076101A ,2024-05-24

[10]

晶体管沟道材料 [P].

A·A·夏尔马 ;

N·萨托 ;

V·H·勒 ;

S·阿塔纳索夫 ;

A·S·古普塔 ;

M·V·梅斯 ;

H·J·允 .

中国专利 :CN114628501A ,2022-06-14

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