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包括竖直沟道晶体管、位线和外围栅极的半导体器件
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311536413.7
申请日：
2023-11-16
公开(公告)号：
CN118076101A
公开(公告)日：
2024-05-24
发明(设计)人：
慎重赞
李基硕
朴硕汉
申硕浩
申请人：
三星电子株式会社
申请人地址：
韩国京畿道
IPC主分类号：
H10B12/00
IPC分类号：
代理机构：
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人：
范心田;倪斌
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-05-24 | 公开 | 公开 |
| 2025-11-11 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H10B 12/00申请日:20231116 |