包括LDMOS晶体管的半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510106819.7

申请日：

2005-09-22

公开(公告)号：

CN1755944A

公开(公告)日：

2006-04-05

发明(设计)人：

藤井宏基

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

穆德骏;陆锦华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-05-31	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-04-08	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2006-04-05	公开	公开

共 50 条

[1]

包括LDMOS 晶体管的半导体器件及其制造方法和LDMOS 晶体管 [P].

赫尔穆特·布雷赫 ;

阿尔贝特·比尔纳 ;

米夏埃拉·布朗恩 ;

扬·罗波尔 ;

马西亚斯·齐格尔德鲁姆 .

中国专利 :CN107546204A ,2018-01-05

[2]

包含LDMOS晶体管的半导体器件 [P].

肖莉红 ;

司伟 .

中国专利 :CN116960183B ,2024-05-17

[3]

包括晶体管的半导体器件 [P].

高东辰 .

韩国专利 :CN119584549A ,2025-03-07

[4]

包括LDMOS晶体管的半导体装置 [P].

A.比尔纳 ;

M.布劳恩 ;

H.布雷赫 ;

C.埃克尔 ;

M.齐格尔德伦 .

中国专利 :CN107546222A ,2018-01-05

[5]

包括LDMOS晶体管的半导体装置 [P].

A.比尔纳 ;

M.布劳恩 ;

H.布雷赫 ;

C.埃克尔 ;

M.齐格尔德伦 .

中国专利 :CN111916500A ,2020-11-10

[6]

包括LDMOS晶体管的半导体装置 [P].

A.比尔纳 ;

M.布劳恩 ;

H.布雷赫 ;

C.埃克尔 ;

M.齐格尔德伦 .

德国专利 :CN111916500B ,2025-03-28

[7]

包括晶体管的半导体器件 [P].

A·迈泽尔 ;

T·施勒塞尔 .

中国专利 :CN106057898A ,2016-10-26

[8]

LDMOS晶体管、半导体器件及其制造方法 [P].

郑大燮 ;

王东立 ;

陈德艳 ;

陈良成 ;

崔崟 .

中国专利 :CN101740392A ,2010-06-16

[9]

包含LDMOS晶体管的半导体器件及制作方法 [P].

程亚杰 .

中国专利 :CN112397591B ,2021-02-23

[10]

晶体管、半导体器件和制造晶体管、半导体器件的方法 [P].

朴宰彻 ;

权奇元 .

中国专利 :CN101582453B ,2009-11-18

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