包含LDMOS晶体管的半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310937332.1

申请日：

2023-07-27

公开(公告)号：

CN116960183B

公开(公告)日：

2024-05-17

发明(设计)人：

肖莉红司伟

申请人：

荣芯半导体（淮安）有限公司

申请人地址：

223302 江苏省淮安市淮阴区长江东路599号

IPC主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/40

代理机构：

上海思捷知识产权代理有限公司 31295

代理人：

刘畅

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-17	授权	授权

共 50 条

[1]

包含LDMOS晶体管的半导体器件及制作方法 [P].

程亚杰 .

中国专利 :CN112397591B ,2021-02-23

[2]

包括LDMOS晶体管的半导体器件 [P].

藤井宏基 .

中国专利 :CN1755944A ,2006-04-05

[3]

LDMOS晶体管、半导体器件及其制造方法 [P].

郑大燮 ;

王东立 ;

陈德艳 ;

陈良成 ;

崔崟 .

中国专利 :CN101740392A ,2010-06-16

[4]

包含LDMOS晶体管的半导体器件及其制作方法 [P].

程亚杰 .

中国专利 :CN115116936A ,2022-09-27

[5]

包含LDMOS晶体管的半导体器件及其制作方法 [P].

程亚杰 .

中国专利 :CN115116936B ,2025-02-25

[6]

包括LDMOS 晶体管的半导体器件及其制造方法和LDMOS 晶体管 [P].

赫尔穆特·布雷赫 ;

阿尔贝特·比尔纳 ;

米夏埃拉·布朗恩 ;

扬·罗波尔 ;

马西亚斯·齐格尔德鲁姆 .

中国专利 :CN107546204A ,2018-01-05

[7]

包含晶体管器件的半导体器件 [P].

D.阿勒斯 ;

P.布兰德尔 ;

K.马托伊 ;

T.奥斯特曼 ;

M.孙德尔 .

中国专利 :CN107978633B ,2018-05-01

[8]

LDMOS晶体管 [P].

王猛 ;

喻慧 .

中国专利 :CN208385411U ,2019-01-15

[9]

包含晶体管单元的半导体器件及其相关制备方法 [P].

维平达斯·帕拉 ;

索维克·乔杜里 .

中国专利 :CN118198143A ,2024-06-14

[10]

半导体器件和晶体管 [P].

颜智洋 ;

刘致为 ;

赖德全 ;

丁媛文 .

中国专利 :CN106158934A ,2016-11-23

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