包含LDMOS晶体管的半导体器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210764947.4

申请日：

2022-06-29

公开(公告)号：

CN115116936B

公开(公告)日：

2025-02-25

发明(设计)人：

程亚杰

申请人：

武汉新芯集成电路股份有限公司

申请人地址：

430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号

IPC主分类号：

H01L21/762

IPC分类号：

H10D30/65 H10D30/01

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

曹廷廷

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-25	授权	授权
2024-06-18	著录事项变更	著录事项变更IPC(主分类):H01L 21/762变更事项:申请人变更前:武汉新芯集成电路制造有限公司变更后:武汉新芯集成电路股份有限公司变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国变更事项:地址变更前:430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号变更后:430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号

共 50 条

[1]

包含LDMOS晶体管的半导体器件及其制作方法 [P].

程亚杰 .

中国专利 :CN115116936A ,2022-09-27

[2]

包含LDMOS晶体管的半导体器件及制作方法 [P].

程亚杰 .

中国专利 :CN112397591B ,2021-02-23

[3]

包含LDMOS晶体管的半导体器件 [P].

肖莉红 ;

司伟 .

中国专利 :CN116960183B ,2024-05-17

[4]

包括LDMOS 晶体管的半导体器件及其制造方法和LDMOS 晶体管 [P].

赫尔穆特·布雷赫 ;

阿尔贝特·比尔纳 ;

米夏埃拉·布朗恩 ;

扬·罗波尔 ;

马西亚斯·齐格尔德鲁姆 .

中国专利 :CN107546204A ,2018-01-05

[5]

LDMOS晶体管、半导体器件及其制造方法 [P].

郑大燮 ;

王东立 ;

陈德艳 ;

陈良成 ;

崔崟 .

中国专利 :CN101740392A ,2010-06-16

[6]

包括LDMOS晶体管的半导体器件 [P].

藤井宏基 .

中国专利 :CN1755944A ,2006-04-05

[7]

半导体器件的制作方法、半导体器件以及晶体管 [P].

李杨 ;

许春龙 ;

孟娟 .

中国专利 :CN115547931A ,2022-12-30

[8]

包含晶体管器件的半导体器件 [P].

D.阿勒斯 ;

P.布兰德尔 ;

K.马托伊 ;

T.奥斯特曼 ;

M.孙德尔 .

中国专利 :CN107978633B ,2018-05-01

[9]

多晶体管半导体器件及其制作方法 [P].

刘轶 .

中国专利 :CN103035644A ,2013-04-10

[10]

半导体晶体管结构及其制作方法 [P].

刘冠良 ;

黄思翰 .

中国专利 :CN120302709A ,2025-07-11

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