包括掩埋沟道阵列晶体管的半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510296775.6

申请日：

2025-03-13

公开(公告)号：

CN120857610A

公开(公告)日：

2025-10-28

发明(设计)人：

蔡教锡林兑旭魏圣柱占承基

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国

IPC主分类号：

H10D84/83

IPC分类号：

H10D84/01 H10D64/27 H10D64/01 H10D62/10

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

孙尚白;范心田

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-28	公开	公开

共 50 条

[1]

包括垂直沟道晶体管的半导体器件 [P].

赵炯纪 ;

卞诚载 .

韩国专利 :CN119907235A ,2025-04-29

[2]

具有掩埋沟道阵列晶体管的极低温半导体器件 [P].

刘敏秀 ;

朴峸慜 .

中国专利 :CN110649021A ,2020-01-03

[3]

多方向沟道晶体管和包括多方向沟道晶体管的半导体器件 [P].

丁海仁 ;

郑文泳 ;

韩俊 ;

山田悟 .

韩国专利 :CN111725314B ,2024-02-23

[4]

多方向沟道晶体管和包括多方向沟道晶体管的半导体器件 [P].

丁海仁 ;

郑文泳 ;

韩俊 ;

山田悟 .

中国专利 :CN111725314A ,2020-09-29

[5]

包括掩埋单元阵列晶体管结构的半导体器件及其制造方法 [P].

裵秉俊 ;

宋正宇 .

韩国专利 :CN118382293A ,2024-07-23

[6]

包括晶体管的半导体器件 [P].

高东辰 .

韩国专利 :CN119584549A ,2025-03-07

[7]

包括晶体管的半导体器件 [P].

A·迈泽尔 ;

T·施勒塞尔 .

中国专利 :CN106057898A ,2016-10-26

[8]

制造包括垂直沟道晶体管的半导体器件的方法 [P].

姜相吉 .

中国专利 :CN101740500B ,2010-06-16

[9]

凹形沟道阵列晶体管、半导体器件及其制造方法 [P].

柳正道 ;

金东赞 ;

郑圣勋 ;

崔时荣 ;

申裕均 ;

朴泰绪 ;

柳宗烈 ;

姜宗勋 .

中国专利 :CN101714550B ,2010-05-26

[10]

垂直沟道晶体管以及包括垂直沟道晶体管的存储器件 [P].

金真怜 ;

宋基焕 .

中国专利 :CN101150132B ,2008-03-26

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