具有掩埋沟道阵列晶体管的极低温半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910285190.9

申请日：

2019-04-10

公开(公告)号：

CN110649021A

公开(公告)日：

2020-01-03

发明(设计)人：

刘敏秀朴峸慜

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L27088

IPC分类号：

H01L29423 H01L2906

代理机构：

北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363

代理人：

许伟群;阮爱青

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-02-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/088 申请日:20190410
2020-01-03	公开	公开

共 50 条

[1]

包括掩埋沟道阵列晶体管的半导体器件 [P].

蔡教锡 ;

林兑旭 ;

魏圣柱 ;

占承基 .

韩国专利 :CN120857610A ,2025-10-28

[2]

具有垂直沟道晶体管的半导体器件的制造方法 [P].

曹祥薰 .

中国专利 :CN101471304B ,2009-07-01

[3]

多方向沟道晶体管和包括多方向沟道晶体管的半导体器件 [P].

丁海仁 ;

郑文泳 ;

韩俊 ;

山田悟 .

韩国专利 :CN111725314B ,2024-02-23

[4]

多方向沟道晶体管和包括多方向沟道晶体管的半导体器件 [P].

丁海仁 ;

郑文泳 ;

韩俊 ;

山田悟 .

中国专利 :CN111725314A ,2020-09-29

[5]

具有垂直沟道晶体管的半导体器件及其制造方法 [P].

成敏圭 ;

赵兴在 ;

金龙水 ;

林宽容 ;

张世亿 .

中国专利 :CN101425515A ,2009-05-06

[6]

凹形沟道阵列晶体管、半导体器件及其制造方法 [P].

柳正道 ;

金东赞 ;

郑圣勋 ;

崔时荣 ;

申裕均 ;

朴泰绪 ;

柳宗烈 ;

姜宗勋 .

中国专利 :CN101714550B ,2010-05-26

[7]

包括垂直沟道晶体管的半导体器件 [P].

赵炯纪 ;

卞诚载 .

韩国专利 :CN119907235A ,2025-04-29

[8]

晶体管、半导体器件和制造晶体管、半导体器件的方法 [P].

朴宰彻 ;

权奇元 .

中国专利 :CN101582453B ,2009-11-18

[9]

晶体管、半导体器件以及半导体模块 [P].

许基宰 ;

山田悟 ;

林濬熙 ;

张成豪 .

中国专利 :CN107256889A ,2017-10-17

[10]

晶体管、半导体器件以及半导体模块 [P].

许基宰 ;

山田悟 ;

林濬熙 ;

张成豪 .

中国专利 :CN103367401A ,2013-10-23

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