离子注入层光刻胶膜厚的优化方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510456455.9

申请日：

2015-07-29

公开(公告)号：

CN105097594A

公开(公告)日：

2015-11-25

发明(设计)人：

甘志锋毛智彪

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号

IPC主分类号：

H01L2166

IPC分类号：

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

智云

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-10-16	授权	授权
2015-12-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101638500119 IPC(主分类):H01L 21/66 专利申请号:2015104564559 申请日:20150729
2015-11-25	公开	公开

共 50 条

[1]

改善离子注入层光刻胶形貌的方法 [P].

司晓萌 ;

雷雨 .

中国专利 :CN118382286A ,2024-07-23

[2]

改善离子注入光刻层光刻胶形貌的方法 [P].

孟晓莹 ;

张彦伟 .

中国专利 :CN112382562A ,2021-02-19

[3]

改善离子注入光刻层光刻胶形貌的方法 [P].

孟晓莹 ;

张彦伟 .

中国专利 :CN112382562B ,2024-03-12

[4]

降低离子注入层光刻胶剥离风险的方法 [P].

蒋斌杰 ;

于世瑞 .

中国专利 :CN106328506B ,2017-01-11

[5]

离子注入工艺后的光刻胶层的去除方法 [P].

宋振伟 ;

徐友峰 ;

陈晋 .

中国专利 :CN103996617A ,2014-08-20

[6]

一种测试光刻胶层对离子注入阻挡能力的方法 [P].

胡华勇 ;

顾一鸣 .

中国专利 :CN102706785A ,2012-10-03

[7]

去除高剂量离子注入后的光刻胶层的方法 [P].

胡春周 .

中国专利 :CN103592827B ,2014-02-19

[8]

用作等离子注入的掩蔽层的光刻胶的去除方法 [P].

曹亮 ;

史超 ;

汤佳杰 .

中国专利 :CN103092009B ,2013-05-08

[9]

光刻热板动态温度控制光刻胶膜厚的方法 [P].

钱睿 ;

赖璐璐 .

中国专利 :CN112040571A ,2020-12-04

[10]

一种选择离子注入的光刻胶厚度方法 [P].

胡华勇 ;

洪中山 .

中国专利 :CN102903649A ,2013-01-30

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