改善离子注入光刻层光刻胶形貌的方法

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专利类型
发明
申请号
CN202011201722.5
申请日
2020-11-02
公开(公告)号
CN112382562A
公开(公告)日
2021-02-19
发明(设计)人
孟晓莹 张彦伟
申请人
申请人地址
201315 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室
IPC主分类号
H01L21265
IPC分类号
H01L21266 H01L218244
代理机构
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
郭四华
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
改善离子注入光刻层光刻胶形貌的方法 [P]. 
孟晓莹 ;
张彦伟 .
中国专利 :CN112382562B ,2024-03-12
[2]
改善离子注入层光刻胶形貌的方法 [P]. 
司晓萌 ;
雷雨 .
中国专利 :CN118382286A ,2024-07-23
[3]
离子注入工艺后的光刻胶层的去除方法 [P]. 
宋振伟 ;
徐友峰 ;
陈晋 .
中国专利 :CN103996617A ,2014-08-20
[4]
去除高剂量离子注入后的光刻胶层的方法 [P]. 
胡春周 .
中国专利 :CN103592827B ,2014-02-19
[5]
改善光刻胶形貌的方法 [P]. 
王传龙 ;
何洪波 ;
王建涛 .
中国专利 :CN121034949A ,2025-11-28
[6]
降低离子注入层光刻胶剥离风险的方法 [P]. 
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于世瑞 .
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[7]
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[8]
光刻胶形貌表征方法 [P]. 
姚树歆 ;
戴峻 ;
储佳 .
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[9]
高粘度光刻胶的涂布方法、光刻方法 [P]. 
耿金鹏 ;
付瑞鹏 ;
童立峰 .
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[10]
去除光刻胶层方法 [P]. 
魏莹璐 ;
吴国燕 .
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