学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审
改善离子注入光刻层光刻胶形貌的方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202011201722.5
申请日
:
2020-11-02
公开(公告)号
:
CN112382562A
公开(公告)日
:
2021-02-19
发明(设计)人
:
孟晓莹
张彦伟
申请人
:
申请人地址
:
201315 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室
IPC主分类号
:
H01L21265
IPC分类号
:
H01L21266
H01L218244
代理机构
:
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
:
郭四华
法律状态
:
公开
国省代码
:
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-02-19
公开
公开
2021-03-09
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/265 申请日:20201102
共 50 条
[1]
改善离子注入光刻层光刻胶形貌的方法
[P].
孟晓莹
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华力集成电路制造有限公司
上海华力集成电路制造有限公司
孟晓莹
;
张彦伟
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华力集成电路制造有限公司
上海华力集成电路制造有限公司
张彦伟
.
中国专利
:CN112382562B
,2024-03-12
[2]
改善离子注入层光刻胶形貌的方法
[P].
司晓萌
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华力集成电路制造有限公司
上海华力集成电路制造有限公司
司晓萌
;
雷雨
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华力集成电路制造有限公司
上海华力集成电路制造有限公司
雷雨
.
中国专利
:CN118382286A
,2024-07-23
[3]
离子注入工艺后的光刻胶层的去除方法
[P].
宋振伟
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
宋振伟
;
徐友峰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
徐友峰
;
陈晋
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
陈晋
.
中国专利
:CN103996617A
,2014-08-20
[4]
去除高剂量离子注入后的光刻胶层的方法
[P].
胡春周
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
胡春周
.
中国专利
:CN103592827B
,2014-02-19
[5]
改善光刻胶形貌的方法
[P].
王传龙
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华力集成电路制造有限公司
上海华力集成电路制造有限公司
王传龙
;
何洪波
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华力集成电路制造有限公司
上海华力集成电路制造有限公司
何洪波
;
王建涛
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华力集成电路制造有限公司
上海华力集成电路制造有限公司
王建涛
.
中国专利
:CN121034949A
,2025-11-28
[6]
降低离子注入层光刻胶剥离风险的方法
[P].
蒋斌杰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
蒋斌杰
;
于世瑞
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
于世瑞
.
中国专利
:CN106328506B
,2017-01-11
[7]
离子注入层光刻胶膜厚的优化方法
[P].
甘志锋
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
甘志锋
;
毛智彪
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
毛智彪
.
中国专利
:CN105097594A
,2015-11-25
[8]
光刻胶形貌表征方法
[P].
姚树歆
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
姚树歆
;
戴峻
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
戴峻
;
储佳
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
储佳
.
中国专利
:CN102955378B
,2013-03-06
[9]
高粘度光刻胶的涂布方法、光刻方法
[P].
耿金鹏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
耿金鹏
;
付瑞鹏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
付瑞鹏
;
童立峰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
童立峰
.
中国专利
:CN103977947A
,2014-08-13
[10]
去除光刻胶层方法
[P].
魏莹璐
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
魏莹璐
;
吴国燕
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
吴国燕
.
中国专利
:CN101592873A
,2009-12-02
←
1
2
3
4
5
→