一种减少SiC晶体生长中缺陷产生的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610750958.1

申请日：

2016-08-30

公开(公告)号：

CN106245110B

公开(公告)日：

2016-12-21

发明(设计)人：

郑清超杨坤

申请人：

申请人地址：

071051 河北省保定市北二环路5699号大学科技园6号楼B座四楼

IPC主分类号：

C30B2300

IPC分类号：

C30B2936

代理机构：

北京连城创新知识产权代理有限公司 11254

代理人：

郝学江

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-12-28	授权	授权
2022-02-18	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C30B 23/00 变更事项:专利权人变更前:河北同光晶体有限公司变更后:河北同光半导体股份有限公司变更事项:地址变更前:071051 河北省保定市北二环路5699号大学科技园6号楼B座四楼变更后:071051 河北省保定市北三环6001号
2022-02-18	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):C30B 23/00 变更事项:发明人变更前:郑清超杨坤变更后:郑清超杨昆
2017-01-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101697769556 IPC(主分类):C30B 23/00 专利申请号:2016107509581 申请日:20160830
2016-12-21	公开	公开

共 50 条

[1]

一种减少Sic晶体生长中碳包裹物产生的热场结构 [P].

郑清超 ;

李霄 ;

李坚 ;

杨坤 .

中国专利 :CN205711045U ,2016-11-23

[2]

提高碳化硅晶体生长质量的籽晶处理方法以及用于碳化硅晶体生长的方法 [P].

娄艳芳 ;

彭同华 ;

赵宁 ;

刘春俊 ;

王波 ;

陈小龙 .

中国专利 :CN105780107A ,2016-07-20

[3]

挡板、芯片、SiC晶体、晶体生长炉和生长方法 [P].

胡彬 ;

段焕涛 .

中国专利 :CN117822097A ,2024-04-05

[4]

一种SiC晶体生长炉 [P].

陈鹏飞 ;

杨倩倩 ;

苗浩伟 ;

李嘉琪 .

中国专利 :CN222251120U ,2024-12-27

[5]

一种SiC晶体生长保温设备及其方法 [P].

万峰 .

中国专利 :CN119980450A ,2025-05-13

[6]

SiC晶体生长装置及方法 [P].

邓树军 ;

张洁 ;

汪良 ;

付芬 .

中国专利 :CN111304746A ,2020-06-19

[7]

一种分阶段实时调控SiC晶体生长界面温度和温度梯度的方法 [P].

高攀 ;

忻隽 ;

施尔畏 .

中国专利 :CN108130594A ,2018-06-08

[8]

一种晶体生长方法和装置 [P].

王宇 ;

杨田 ;

梁振兴 ;

李敏 .

中国专利 :CN112585304B ,2021-03-30

[9]

一种晶体生长装置、晶体生长方法及调节晶体生长中溶液流动的方法 [P].

郁万成 ;

张茜莹 ;

徐现刚 ;

胡小波 ;

陈秀芳 .

中国专利 :CN119776998A ,2025-04-08

[10]

一种晶体生长装置 [P].

毛朝斌 ;

罗骞 ;

刘欣 ;

王慧勇 ;

钟新华 ;

孔倩茵 .

中国专利 :CN220619188U ,2024-03-19

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