提高碳化硅晶体生长质量的籽晶处理方法以及用于碳化硅晶体生长的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410795960.1

申请日：

2014-12-18

公开(公告)号：

CN105780107A

公开(公告)日：

2016-07-20

发明(设计)人：

娄艳芳彭同华赵宁刘春俊王波陈小龙

申请人：

申请人地址：

100190 北京市海淀区中关村南三街8号

IPC主分类号：

C30B2300

IPC分类号：

C30B2936

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

牛海军

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-09-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101678577405 IPC(主分类):C30B 23/00 专利申请号:2014107959601 申请日:20141218
2016-07-20	公开	公开
2019-10-08	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B 23/00 申请公布日:20160720

共 50 条

[1]

碳化硅晶体生长用坩埚及碳化硅晶体生长装置 [P].

徐良 ;

蓝文安 ;

刘建哲 ;

余雅俊 ;

李京波 ;

夏建白 ;

陈素春 .

中国专利 :CN215404657U ,2022-01-04

[2]

碳化硅晶体生长装置、方法及碳化硅晶体 [P].

刘曦 .

中国专利 :CN116815320B ,2024-01-12

[3]

碳化硅晶体生长装置 [P].

薛卫明 ;

马远 ;

潘尧波 .

中国专利 :CN217757758U ,2022-11-08

[4]

碳化硅晶体生长装置 [P].

段元浩 ;

浩瀚 ;

赵新田 .

中国专利 :CN117684257A ,2024-03-12

[5]

碳化硅晶体生长装置 [P].

李远田 ;

陈俊宏 ;

李兆颖 ;

周来平 .

中国专利 :CN114892275A ,2022-08-12

[6]

碳化硅晶体生长装置 [P].

李远田 ;

陈俊宏 ;

李兆颖 ;

周来平 .

中国专利 :CN114892275B ,2025-10-28

[7]

碳化硅晶体生长装置 [P].

杨树 ;

张洁 .

中国专利 :CN221071723U ,2024-06-04

[8]

碳化硅晶体生长用坩埚和碳化硅晶体生长装置 [P].

徐良 ;

曹力力 ;

蓝文安 ;

朱卫祥 ;

阳明益 ;

刘建哲 ;

余雅俊 .

中国专利 :CN210974929U ,2020-07-10

[9]

碳化硅晶体生长坩埚、籽晶及晶体生长方法 [P].

欧阳鹏根 ;

张志伟 ;

汪传勇 ;

胡建荣 .

中国专利 :CN119710929A ,2025-03-28

[10]

碳化硅晶体生长装置、方法及碳化硅晶体 [P].

林育仪 ;

廖建成 ;

陈增强 ;

余明轩 .

中国专利 :CN116695238B ,2024-03-22

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