发光二极管及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611037506.5

申请日：

2016-11-23

公开(公告)号：

CN106449917B

公开(公告)日：

2017-02-22

发明(设计)人：

展望马后永游正璋琚晶

申请人：

申请人地址：

201306 上海市浦东新区临港产业区鸿音路1889号

IPC主分类号：

H01L3306

IPC分类号：

H01L3312 H01L3300

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

徐文欣;吴敏

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-13	授权	授权
2017-02-22	公开	公开
2017-03-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101708562714 IPC(主分类):H01L 33/06 专利申请号:2016110375065 申请日:20161123

共 50 条

[1]

发光二极管及其形成方法 [P].

纪秉夆 ;

曾颀尧 ;

陈柏松 ;

汪琼 ;

邢琨 ;

冷鑫钰 .

中国专利 :CN110085711B ,2019-08-02

[2]

发光二极管及其形成方法 [P].

纪秉夆 ;

曾颀尧 ;

李若雅 ;

邢琨 ;

陈柏松 .

中国专利 :CN110085712B ,2019-08-02

[3]

发光二极管及其形成方法 [P].

曾颀尧 ;

李若雅 ;

邢琨 ;

纪秉夆 ;

陈柏松 .

中国专利 :CN110047978B ,2019-07-23

[4]

发光二极管及其形成方法 [P].

展望 ;

马后永 ;

游正璋 ;

李起鸣 .

中国专利 :CN106340572A ,2017-01-18

[5]

发光二极管及其形成方法 [P].

黄禄珍 .

中国专利 :CN101635323A ,2010-01-27

[6]

发光二极管及其形成方法 [P].

余振华 ;

余佳霖 ;

邱文智 ;

陈鼎元 ;

林宏达 .

中国专利 :CN104659163A ,2015-05-27

[7]

发光二极管及其形成方法 [P].

洪梓健 ;

沈佳辉 .

中国专利 :CN102446908A ,2012-05-09

[8]

发光二极管及其形成方法 [P].

赵建宜 ;

李景磊 .

中国专利 :CN112838150B ,2021-05-25

[9]

发光二极管及其形成方法 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN101964385B ,2011-02-02

[10]

发光二极管及其形成方法 [P].

余振华 ;

余佳霖 ;

邱文智 ;

陈鼎元 ;

林宏达 .

中国专利 :CN101635328A ,2010-01-27

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