发光二极管及其形成方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201410834536.3
申请日
2009-04-30
公开(公告)号
CN104659163A
公开(公告)日
2015-05-27
发明(设计)人
余振华 余佳霖 邱文智 陈鼎元 林宏达
申请人
申请人地址
中国台湾新竹市
IPC主分类号
H01L3300
IPC分类号
H01L3322 H01L3348
代理机构
隆天知识产权代理有限公司 72003
代理人
金鹏;张浴月
法律状态
专利申请权、专利权的转移
国省代码
引用
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共 50 条
[1]
发光二极管及其形成方法 [P]. 
余振华 ;
余佳霖 ;
邱文智 ;
陈鼎元 ;
林宏达 .
中国专利 :CN101635328A ,2010-01-27
[2]
发光二极管及其形成方法 [P]. 
黄禄珍 .
中国专利 :CN101635323A ,2010-01-27
[3]
发光二极管及其形成方法 [P]. 
纪秉夆 ;
曾颀尧 ;
陈柏松 ;
汪琼 ;
邢琨 ;
冷鑫钰 .
中国专利 :CN110085711B ,2019-08-02
[4]
发光二极管及其形成方法 [P]. 
纪秉夆 ;
曾颀尧 ;
李若雅 ;
邢琨 ;
陈柏松 .
中国专利 :CN110085712B ,2019-08-02
[5]
发光二极管及其形成方法 [P]. 
曾颀尧 ;
李若雅 ;
邢琨 ;
纪秉夆 ;
陈柏松 .
中国专利 :CN110047978B ,2019-07-23
[6]
发光二极管及其形成方法 [P]. 
洪梓健 ;
沈佳辉 .
中国专利 :CN102446908A ,2012-05-09
[7]
发光二极管及其形成方法 [P]. 
展望 ;
马后永 ;
游正璋 ;
李起鸣 .
中国专利 :CN106340572A ,2017-01-18
[8]
发光二极管及其形成方法 [P]. 
赵建宜 ;
李景磊 .
中国专利 :CN112838150B ,2021-05-25
[9]
发光二极管及其形成方法 [P]. 
展望 ;
马后永 ;
游正璋 ;
琚晶 .
中国专利 :CN106449917B ,2017-02-22
[10]
发光二极管及其形成方法 [P]. 
肖德元 ;
张汝京 .
中国专利 :CN101964385B ,2011-02-02