一种表面阳离子化二氧化硅纳米颗粒

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010093902.X

申请日：

2020-02-14

公开(公告)号：

CN111171798A

公开(公告)日：

2020-05-19

发明(设计)人：

孙傲尹剑宇刘庆旺范振忠乔三原

申请人：

申请人地址：

163319 黑龙江省大庆市高新技术开发区学府街99号

IPC主分类号：

C09K8584

IPC分类号：

C09K858 C09K894 C09C128 C09C306 C09C308 C09C312 C01B3318 B82Y3000

代理机构：

哈尔滨东方专利事务所 23118

代理人：

曹爱华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C09K 8/584 申请日:20200214
2020-05-19	公开	公开
2022-08-26	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C09K 8/584 申请公布日:20200519

共 50 条

[1]

二氧化硅纳米颗粒表面修饰氨基的方法 [P].

王婷 ;

丁锐 ;

屈冠雯 ;

王楚 .

中国专利 :CN107381586A ,2017-11-24

[2]

表面改性二氧化硅纳米颗粒的制造方法以及表面改性二氧化硅纳米颗粒 [P].

柳田浩治 ;

中杉茂正 ;

仁川裕 ;

片山朋英 ;

坂本胜幸 .

中国专利 :CN106414328A ,2017-02-15

[3]

一种磺化二氧化硅纳米颗粒及其制备方法和应用 [P].

吴海荣 ;

杨蒙 ;

李哲 ;

侯吉瑞 ;

康万利 ;

苟聪博 ;

高凯 ;

袁永杰 .

中国专利 :CN109437214A ,2019-03-08

[4]

制备超小荧光二氧化硅纳米颗粒的方法 [P].

邓小勇 ;

常庆 ;

谢志全 ;

沈宁 ;

段俊红 ;

孙美 .

中国专利 :CN109453393A ,2019-03-12

[5]

通过二氧化硅致密化改进的荧光二氧化硅纳米颗粒 [P].

U·B·维斯纳 ;

E·赫兹 ;

H·奥 .

中国专利 :CN102459062B ,2012-05-16

[6]

表面修饰阳离子的磁性二氧化硅微球的制备方法 [P].

崔亚丽 ;

杨磊 ;

胡道道 ;

陈超 .

中国专利 :CN101723389B ,2010-06-09

[7]

一种阳离子化二氧化硅分散体的制备方法 [P].

何君勇 ;

赵从兆 ;

许磊 .

中国专利 :CN101942230A ,2011-01-12

[8]

二氧化硅纳米颗粒表面修饰氨基的方法 [P].

王婷 ;

帅哲玮 ;

尤柏儒 ;

蔡成龙 .

中国专利 :CN112125312A ,2020-12-25

[9]

阳离子改性二氧化硅的制造方法和阳离子改性二氧化硅分散体 [P].

田口创万 ;

芦高圭史 ;

三轮直也 .

中国专利 :CN109071238A ,2018-12-21

[10]

表面改性的二氧化硅颗粒 [P].

U·D·屈纳 .

中国专利 :CN102027074A ,2011-04-20

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