表面改性的二氧化硅颗粒

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专利类型
发明
申请号
CN200980117689.3
申请日
2009-04-20
公开(公告)号
CN102027074A
公开(公告)日
2011-04-20
发明(设计)人
U·D·屈纳
申请人
申请人地址
德国盖斯特哈赫特
IPC主分类号
C09C130
IPC分类号
C08K906
代理机构
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038
代理人
邓毅
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
表面改性的二氧化硅 [P]. 
于尔根·迈尔 ;
亨宁·卡贝 ;
马里奥·肖尔茨 ;
库尔特·施皮茨纳格尔 .
中国专利 :CN101108730A ,2008-01-23
[2]
改性二氧化硅颗粒 [P]. 
P·A·雷斯托普 ;
A·特恩克罗纳 ;
J·利夫 ;
J·E·P·霍格布鲁姆 .
中国专利 :CN105308128A ,2016-02-03
[3]
改性二氧化硅颗粒 [P]. 
A·特恩克罗纳 ;
K·霍尔姆贝里 ;
R·博尔德 .
中国专利 :CN103415575B ,2013-11-27
[4]
表面改性二氧化硅纳米颗粒的制造方法以及表面改性二氧化硅纳米颗粒 [P]. 
柳田浩治 ;
中杉茂正 ;
仁川裕 ;
片山朋英 ;
坂本胜幸 .
中国专利 :CN106414328A ,2017-02-15
[5]
表面改性的二氧化硅 [P]. 
J·迈尔 ;
M·肖尔茨 ;
K·舒马赫 .
中国专利 :CN101522820A ,2009-09-02
[6]
表面改性的二氧化硅 [P]. 
J·迈尔 ;
M·肖尔茨 .
中国专利 :CN101522565B ,2009-09-02
[7]
粒状二氧化硅 [P]. 
L·科斯塔 ;
B·布劳恩 .
中国专利 :CN101460400A ,2009-06-17
[8]
二氧化硅表面改性方法 [P]. 
刘月田 ;
何宇廷 ;
柴汝宽 ;
薛亮 .
中国专利 :CN111718603A ,2020-09-29
[9]
纳米二氧化硅的表面改性方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN107033629A ,2017-08-11
[10]
二氧化硅颗粒的制造方法 [P]. 
吉川英昭 ;
钱谷优香 ;
奥野広良 ;
野崎骏介 ;
川岛信一郎 ;
竹内荣 .
中国专利 :CN102295290A ,2011-12-28