二氧化硅表面改性方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010618202.8

申请日：

2020-07-01

公开(公告)号：

CN111718603A

公开(公告)日：

2020-09-29

发明(设计)人：

刘月田何宇廷柴汝宽薛亮

申请人：

申请人地址：

102249 北京市昌平区府学路18号

IPC主分类号：

C09C130

IPC分类号：

C09C304 C09C312 C09C308

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

张娜;黄健

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-29	公开	公开
2020-10-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C09C 1/30 申请日:20200701
2021-09-10	授权	授权

共 50 条

[1]

纳米二氧化硅的表面改性方法 [P].

孙蓉 ;

李刚 ;

朱朋莉 ;

赵涛 .

中国专利 :CN111777873A ,2020-10-16

[2]

纳米二氧化硅及其表面改性方法 [P].

孙蓉 ;

李刚 ;

朱朋莉 ;

赵涛 ;

何亚川 .

中国专利 :CN111777874A ,2020-10-16

[3]

纳米二氧化硅的表面改性方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN107033629A ,2017-08-11

[4]

一种纳米二氧化硅的表面改性方法 [P].

朱耿增 ;

李辛庚 ;

姜波 ;

李文静 ;

姚硕 ;

王晓明 ;

田双 ;

吴亚平 ;

宗立君 ;

赵洺哲 ;

樊志彬 ;

郭凯 ;

闫风洁 ;

张振岳 ;

王蝶 ;

米春旭 ;

高智悦 ;

王倩 ;

王维娜 .

中国专利 :CN113234335A ,2021-08-10

[5]

一种二氧化硅表面改性方法 [P].

朱彩霞 ;

姜海波 ;

刘贺峻 ;

马龙 ;

王一奥 ;

郭成 ;

杨佳佳 ;

张丽丽 ;

曾嘉羲 .

中国专利 :CN118083995A ,2024-05-28

[6]

表面改性二氧化硅纳米颗粒的制造方法以及表面改性二氧化硅纳米颗粒 [P].

柳田浩治 ;

中杉茂正 ;

仁川裕 ;

片山朋英 ;

坂本胜幸 .

中国专利 :CN106414328A ,2017-02-15

[7]

表面改性的二氧化硅 [P].

J·迈尔 ;

M·肖尔茨 ;

K·舒马赫 .

中国专利 :CN101522820A ,2009-09-02

[8]

表面改性的二氧化硅 [P].

J·迈尔 ;

M·肖尔茨 .

中国专利 :CN101522565B ,2009-09-02

[9]

一种纳米二氧化硅的表面改性方法 [P].

宋仁国 ;

李鑫伟 ;

王超 ;

姜冬 .

中国专利 :CN103013182A ,2013-04-03

[10]

纳米二氧化硅的单分子层表面改性方法 [P].

孙蓉 ;

李刚 ;

朱朋莉 ;

何亚川 ;

赵涛 .

中国专利 :CN110016242A ,2019-07-16

← 1 2 3 4 5 →