纳米二氧化硅及其表面改性方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201910271355.7
申请日
2019-04-04
公开(公告)号
CN111777874A
公开(公告)日
2020-10-16
发明(设计)人
孙蓉 李刚 朱朋莉 赵涛 何亚川
申请人
申请人地址
518055 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号
IPC主分类号
C09C130
IPC分类号
C09C312 C08L6300 C08K906 C08K900 C08K718
代理机构
深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304
代理人
孙伟峰;黄进
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
纳米二氧化硅的表面改性方法 [P]. 
孙蓉 ;
李刚 ;
朱朋莉 ;
赵涛 .
中国专利 :CN111777873A ,2020-10-16
[2]
纳米二氧化硅的单分子层表面改性方法 [P]. 
孙蓉 ;
李刚 ;
朱朋莉 ;
何亚川 ;
赵涛 .
中国专利 :CN110016242A ,2019-07-16
[3]
纳米二氧化硅的表面改性方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN107033629A ,2017-08-11
[4]
二氧化硅表面改性方法 [P]. 
刘月田 ;
何宇廷 ;
柴汝宽 ;
薛亮 .
中国专利 :CN111718603A ,2020-09-29
[5]
一种纳米二氧化硅的表面改性方法 [P]. 
宋仁国 ;
李鑫伟 ;
王超 ;
姜冬 .
中国专利 :CN103013182A ,2013-04-03
[6]
一种纳米二氧化硅的表面改性方法 [P]. 
朱耿增 ;
李辛庚 ;
姜波 ;
李文静 ;
姚硕 ;
王晓明 ;
田双 ;
吴亚平 ;
宗立君 ;
赵洺哲 ;
樊志彬 ;
郭凯 ;
闫风洁 ;
张振岳 ;
王蝶 ;
米春旭 ;
高智悦 ;
王倩 ;
王维娜 .
中国专利 :CN113234335A ,2021-08-10
[7]
表面改性二氧化硅纳米颗粒的制造方法以及表面改性二氧化硅纳米颗粒 [P]. 
柳田浩治 ;
中杉茂正 ;
仁川裕 ;
片山朋英 ;
坂本胜幸 .
中国专利 :CN106414328A ,2017-02-15
[8]
纳米二氧化硅的制备方法及表面改性方法 [P]. 
杨威 ;
严顺洪 ;
肖立鲜 ;
陈敏 ;
黎超 .
中国专利 :CN111422877A ,2020-07-17
[9]
一种高分散纳米二氧化硅的表面改性方法 [P]. 
戎志丹 ;
张佳奇 .
中国专利 :CN110845872A ,2020-02-28
[10]
一种纳米二氧化硅改性方法 [P]. 
周宁 ;
赖南君 ;
李诗涛 ;
唐雷 ;
郭欣 ;
叶仲斌 .
中国专利 :CN104984746A ,2015-10-21