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半导体器件及其形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201711116553.3
申请日：
2017-11-13
公开(公告)号：
CN109786458A
公开(公告)日：
2019-05-21
发明(设计)人：
王青鹏
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L21336
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
徐文欣;吴敏
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-02-15 | 授权 | 授权 |
| 2019-05-21 | 公开 | 公开 |
| 2019-06-14 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20171113 |