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半导体器件及其形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201711486005.X
申请日：
2017-12-29
公开(公告)号：
CN109994471A
公开(公告)日：
2019-07-09
发明(设计)人：
张欣贵
董耀旗
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号：
H01L27088
IPC分类号：
H01L218234
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
徐文欣;吴敏
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2019-07-09 | 公开 | 公开 |
| 2019-08-02 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/088 申请日:20171229 |
| 2020-12-22 | 授权 | 授权 |