硅电容压力传感器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210144742.2

申请日：

2012-05-11

公开(公告)号：

CN102654426A

公开(公告)日：

2012-09-05

发明(设计)人：

张治国李颖张娜周磊刘剑

申请人：

申请人地址：

110043 辽宁省沈阳市大东区北海街242号

IPC主分类号：

G01L912

IPC分类号：

代理机构：

沈阳科威专利代理有限责任公司 21101

代理人：

杨滨

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-10-31	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101340112009 IPC(主分类):G01L 9/12 专利申请号:2012101447422 申请日:20120511
2014-12-10	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101708155808 IPC(主分类):G01L 9/12 专利申请号:2012101447422 申请公布日:20120905
2012-09-05	公开	公开

共 50 条

[1]

新型硅电容压力传感器 [P].

张治国 ;

李颖 ;

张娜 ;

周磊 ;

刘剑 .

中国专利 :CN202562689U ,2012-11-28

[2]

硅电容压力传感器 [P].

张治国 ;

李颖 ;

祝永峰 .

中国专利 :CN2667667Y ,2004-12-29

[3]

电容压力传感器 [P].

牛德芳 ;

杨仲华 ;

唐晓刚 ;

孙金花 ;

张丽霞 ;

刘静 .

中国专利 :CN201318972Y ,2009-09-30

[4]

电容压力传感器 [P].

牛德芳 ;

杨仲华 ;

唐晓刚 ;

孙金花 ;

张丽霞 ;

刘静 .

中国专利 :CN101441120B ,2009-05-27

[5]

过载能力提升的硅电容压力传感器 [P].

张治国 ;

李颖 ;

张娜 ;

匡石 ;

刘剑 .

中国专利 :CN201364213Y ,2009-12-16

[6]

电容压力传感器 [P].

武尔佛特·德勒韦斯 ;

弗兰克·赫格纳 .

中国专利 :CN100353153C ,2005-09-21

[7]

电容压力传感器 [P].

乌尔费尔特·德勒韦斯 ;

伊戈尔·格季曼 ;

弗兰卡·黑格纳 .

中国专利 :CN1668905A ,2005-09-14

[8]

电容压力传感器 [P].

汤马斯·A·克纳施特 ;

罗格·L·弗里克 .

中国专利 :CN87104354A ,1988-01-20

[9]

电容压力传感器 [P].

Ｓ·Ｙ·李 .

中国专利 :CN1053736C ,1996-08-28

[10]

硅压力传感器 [P].

李吉明 .

中国专利 :CN2476012Y ,2002-02-06

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