新型硅电容压力传感器

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201220210020.8

申请日：

2012-05-11

公开(公告)号：

CN202562689U

公开(公告)日：

2012-11-28

发明(设计)人：

张治国李颖张娜周磊刘剑

申请人：

申请人地址：

110043 辽宁省沈阳市大东区北海街242号

IPC主分类号：

G01L912

IPC分类号：

代理机构：

沈阳科威专利代理有限责任公司 21101

代理人：

杨滨

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-11-28	授权	授权
2014-07-02	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101583403967 IPC(主分类):G01L 9/12 专利号:ZL2012202100208 申请日:20120511 授权公告日:20121128 终止日期:20130511

共 50 条

[1]

硅电容压力传感器 [P].

张治国 ;

李颖 ;

张娜 ;

周磊 ;

刘剑 .

中国专利 :CN102654426A ,2012-09-05

[2]

硅电容压力传感器 [P].

张治国 ;

李颖 ;

祝永峰 .

中国专利 :CN2667667Y ,2004-12-29

[3]

新型硅压力传感器 [P].

黄新华 .

中国专利 :CN2938053Y ,2007-08-22

[4]

电容压力传感器 [P].

牛德芳 ;

杨仲华 ;

唐晓刚 ;

孙金花 ;

张丽霞 ;

刘静 .

中国专利 :CN201318972Y ,2009-09-30

[5]

电容压力传感器 [P].

牛德芳 ;

杨仲华 ;

唐晓刚 ;

孙金花 ;

张丽霞 ;

刘静 .

中国专利 :CN101441120B ,2009-05-27

[6]

过载能力提升的硅电容压力传感器 [P].

张治国 ;

李颖 ;

张娜 ;

匡石 ;

刘剑 .

中国专利 :CN201364213Y ,2009-12-16

[7]

电容式压力传感器 [P].

李刚 ;

胡维 .

中国专利 :CN202420729U ,2012-09-05

[8]

电容式压力传感器 [P].

伍正辉 ;

龙霞 .

中国专利 :CN201425529Y ,2010-03-17

[9]

新型压力传感器 [P].

翟利 ;

任中慧 .

中国专利 :CN201210098Y ,2009-03-18

[10]

变电容压力传感器 [P].

伍颖超 ;

陈松 ;

骆航 .

中国专利 :CN209085807U ,2019-07-09

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