纳米硅材料的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380058274.X

申请日：

2013-11-18

公开(公告)号：

CN104937753B

公开(公告)日：

2015-09-23

发明(设计)人：

杉山佑介仲西正孝毛利敬史村濑正和新美知宏中垣佳浩小石茂功平手博

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

H01M438

IPC分类号：

C01B3302 C08G7760 H01G1122 H01M4134 H01M462

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

苗堃;金世煜

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-29	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01M 4/38 申请日:20131118 授权公告日:20170912 终止日期:20201118
2015-09-23	公开	公开
2017-09-12	授权	授权
2015-10-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101629645275 IPC(主分类):H01M 4/38 专利申请号:201380058274X 申请日:20131118

共 50 条

[1]

纳米硅材料的制备方法 [P].

黄钊文 .

中国专利 :CN105712350A ,2016-06-29

[2]

一种纳米硅材料的制备方法 [P].

许宁生 ;

吴志盛 ;

邓少芝 .

中国专利 :CN1095441C ,2000-12-20

[3]

一种纳米硅材料的制备方法 [P].

王丽 ;

毛焕宇 ;

唐其伟 .

中国专利 :CN109384231A ,2019-02-26

[4]

纳米硅材料及其制造方法和二次电池的负极 [P].

近藤刚司 ;

杉山佑介 ;

合田信弘 ;

毛利敬史 ;

大岛弘树 ;

仲西正孝 .

中国专利 :CN106414326B ,2017-02-15

[5]

硅材料的制造方法 [P].

原田正则 ;

毛利敬史 ;

合田信弘 ;

山口泰弘 .

中国专利 :CN108349740A ,2018-07-31

[6]

一种纳米硅材料的制备方法及其应用 [P].

涂飞跃 ;

汤刚 ;

杨乐之 ;

陈涛 ;

黎天保 ;

殷敖 ;

彭青姣 ;

王艳华 ;

覃事彪 .

中国专利 :CN109860548B ,2019-06-07

[7]

一种高精度纳米硅材料的制备方法 [P].

伍林 ;

杨小于 ;

胡雅 ;

刘盈 ;

张保国 ;

廖致远 ;

周义来 ;

陈奡 .

中国专利 :CN114314502A ,2022-04-12

[8]

纳米硅材料及其制备方法和应用 [P].

邓洁 ;

孙赛 ;

张丝雨 ;

董文芊 ;

蒋建忠 ;

凌杨栋 .

中国专利 :CN117963928A ,2024-05-03

[9]

具有疏水包覆层的纳米硅材料、制备方法及应用 [P].

刘艳侠 ;

曹相斌 ;

刘凡 ;

申长洁 ;

阮晶晶 ;

万爽 ;

陈仕谋 .

中国专利 :CN112456498A ,2021-03-09

[10]

锗-硼掺杂的纳米硅材料以及制备方法和应用 [P].

邓洁 ;

孙赛 ;

张丝雨 ;

董文芊 ;

蒋建忠 ;

凌杨栋 .

中国专利 :CN117976835A ,2024-05-03

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