一种纳米硅材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN00117242.5

申请日：

2000-07-07

公开(公告)号：

CN1095441C

公开(公告)日：

2000-12-20

发明(设计)人：

许宁生吴志盛邓少芝

申请人：

申请人地址：

510275广东省广州市新港西路135号中山大学科技处

IPC主分类号：

C01B33021

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查请求的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2000-11-22	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2006-09-06	专利权的终止未缴年费专利权终止	专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-12-04	授权	授权
2000-12-20	公开	公开

共 50 条

[1]

一种纳米硅材料的制备方法 [P].

王丽 ;

毛焕宇 ;

唐其伟 .

中国专利 :CN109384231A ,2019-02-26

[2]

纳米硅材料的制备方法 [P].

黄钊文 .

中国专利 :CN105712350A ,2016-06-29

[3]

一种硼掺杂纳米硅材料的制备方法及其装置 [P].

刘国钧 ;

沈晓东 ;

成汉文 ;

何爱平 ;

唐云俊 .

中国专利 :CN103232040A ,2013-08-07

[4]

一种磷掺杂纳米硅材料的制备方法及其装置 [P].

刘国钧 ;

沈晓东 ;

唐云俊 ;

周卫卫 .

中国专利 :CN103224237A ,2013-07-31

[5]

具有疏水包覆层的纳米硅材料、制备方法及应用 [P].

刘艳侠 ;

曹相斌 ;

刘凡 ;

申长洁 ;

阮晶晶 ;

万爽 ;

陈仕谋 .

中国专利 :CN112456498A ,2021-03-09

[6]

一种纳米硅材料的制备方法及其应用 [P].

涂飞跃 ;

汤刚 ;

杨乐之 ;

陈涛 ;

黎天保 ;

殷敖 ;

彭青姣 ;

王艳华 ;

覃事彪 .

中国专利 :CN109860548B ,2019-06-07

[7]

一种高精度纳米硅材料的制备方法 [P].

伍林 ;

杨小于 ;

胡雅 ;

刘盈 ;

张保国 ;

廖致远 ;

周义来 ;

陈奡 .

中国专利 :CN114314502A ,2022-04-12

[8]

一种纳米碳化硅材料的制备方法 [P].

许宁生 ;

吴志盛 ;

邓少芝 ;

周军 .

中国专利 :CN1164488C ,2001-12-26

[9]

一种纳米硅材料及其制备方法 [P].

赵明才 ;

张娟 ;

汪炜 .

中国专利 :CN113130857A ,2021-07-16

[10]

纳米硅材料及其制备方法和应用 [P].

邓洁 ;

孙赛 ;

张丝雨 ;

董文芊 ;

蒋建忠 ;

凌杨栋 .

中国专利 :CN117963928A ,2024-05-03

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