一种纳米碳化硅材料的制备方法

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专利类型
发明
申请号
CN01127650.9
申请日
2001-07-25
公开(公告)号
CN1164488C
公开(公告)日
2001-12-26
发明(设计)人
许宁生 吴志盛 邓少芝 周军
申请人
申请人地址
510275广东省广州市新港西路135号
IPC主分类号
C01B3136
IPC分类号
代理机构
广州市新诺专利事务所有限公司
代理人
华辉
法律状态
实质审查请求的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一种碳化硅材料制备方法、碳化硅材料及碳化硅部件 [P]. 
杜宗伟 ;
杨佐东 ;
罗春 ;
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[2]
一种制备纳米碳化硅的方法 [P]. 
张德 ;
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[3]
一种制备碳化硅材料的方法及碳化硅材料 [P]. 
余盛杰 ;
廖家豪 ;
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[4]
一种制备碳化硅材料的方法及碳化硅材料 [P]. 
余盛杰 ;
廖家豪 ;
柴攀 ;
万强 .
中国专利 :CN118086866A ,2024-05-28
[5]
一种碳化硅纳米线的制备方法 [P]. 
沈晓燕 ;
陈林 ;
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[6]
一种纳米片状碳化硅的制备方法 [P]. 
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范庆超 ;
魏成彪 ;
甘瑞辉 ;
武立强 ;
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[7]
纳米碳化硅新材料及其制备方法和应用 [P]. 
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[8]
碳化硅纳米线结合碳化硅陶瓷的制备方法 [P]. 
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[9]
碳化硅纳米线薄膜材料的制备方法 [P]. 
李克智 ;
何松 ;
宋强 ;
李贺军 ;
张振闯 .
中国专利 :CN108046266A ,2018-05-18
[10]
碳化硅纳米线的微波制备方法 [P]. 
曾燮榕 ;
符冬菊 ;
邹继兆 ;
黎晓华 .
中国专利 :CN102373505A ,2012-03-14