一种制备纳米碳化硅的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710052859.7

申请日：

2007-07-30

公开(公告)号：

CN101157452A

公开(公告)日：

2008-04-09

发明(设计)人：

张德徐建梅苏言杰

申请人：

申请人地址：

430074湖北省武汉市洪山区鲁磨路388号

IPC主分类号：

C01B3136

IPC分类号：

C30B2936 C30B110

代理机构：

湖北武汉永嘉专利代理有限公司

代理人：

张安国

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-04-09	公开	公开
2008-06-04	实质审查的生效	实质审查的生效
2012-10-03	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101331910677 IPC(主分类):C01B 31/36 专利号:ZL2007100528597 申请日:20070730 授权公告日:20091118 终止日期:20110730
2009-11-18	授权	授权

共 50 条

[1]

一种纳米碳化硅材料的制备方法 [P].

许宁生 ;

吴志盛 ;

邓少芝 ;

周军 .

中国专利 :CN1164488C ,2001-12-26

[2]

一种纳米碳化硅的制备方法 [P].

王佳丽 ;

万玲 ;

张铭 ;

李如龙 ;

杨启炜 .

中国专利 :CN116573646B ,2025-12-02

[3]

一种纳米碳化硅的制备方法 [P].

于迎涛 ;

李杰 ;

刘云鹏 .

中国专利 :CN106076595B ,2016-11-09

[4]

一种β-纳米碳化硅的制备方法 [P].

郭向云 ;

郝建英 ;

靳国强 ;

王英勇 ;

童希立 .

中国专利 :CN102432013B ,2012-05-02

[5]

一种纳米碳化硅的制备方法 [P].

马文会 ;

谢江生 ;

魏奎先 ;

秦博 ;

伍继君 ;

谢克强 ;

周阳 ;

龙萍 ;

杨斌 ;

戴永年 .

中国专利 :CN103232038A ,2013-08-07

[6]

纳米碳化硅陶瓷的制备方法 [P].

郭兴忠 ;

杨辉 ;

李海淼 ;

朱潇怡 ;

高黎华 ;

傅培鑫 .

中国专利 :CN101182211B ,2008-05-21

[7]

纳米碳化硅及其制备方法 [P].

张浩杰 .

中国专利 :CN107963631A ,2018-04-27

[8]

纤维状纳米碳化硅的制备方法 [P].

段涛 ;

张红 ;

竹文坤 ;

刘琨 .

中国专利 :CN103496703A ,2014-01-08

[9]

一种低温制备纳米碳化硅的方法 [P].

孙蔷 ;

王增榕 .

中国专利 :CN109748282B ,2019-05-14

[10]

一种碳化硅纳米线的制备方法 [P].

卢北虎 ;

刘飞 ;

徐增师 ;

裴波 ;

胡棋威 .

中国专利 :CN108048858A ,2018-05-18

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