一种纳米碳化硅的制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201310154570.1
申请日
2013-04-28
公开(公告)号
CN103232038A
公开(公告)日
2013-08-07
发明(设计)人
马文会 谢江生 魏奎先 秦博 伍继君 谢克强 周阳 龙萍 杨斌 戴永年
申请人
申请人地址
650093 云南省昆明市五华区学府路253号
IPC主分类号
C01B3136
IPC分类号
B82Y3000
代理机构
代理人
法律状态
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
一种纳米β-碳化硅及其制备方法 [P]. 
肖少华 ;
杨青伟 ;
金士威 .
中国专利 :CN111453733A ,2020-07-28
[2]
一种低温制备纳米碳化硅的方法 [P]. 
孙蔷 ;
王增榕 .
中国专利 :CN109748282B ,2019-05-14
[3]
一种纳米碳化硅的制备方法 [P]. 
于迎涛 ;
李杰 ;
刘云鹏 .
中国专利 :CN106076595B ,2016-11-09
[4]
纳米碳化硅及其制备方法 [P]. 
张浩杰 .
中国专利 :CN107963631A ,2018-04-27
[5]
一种碳化硅纳米材料的制备方法 [P]. 
李新通 ;
江四九 .
中国专利 :CN106629733A ,2017-05-10
[6]
一种碳化硅纳米材料的制备方法 [P]. 
李新通 ;
江四九 .
中国专利 :CN106629734A ,2017-05-10
[7]
一种碳化硅纳米材料的制备方法 [P]. 
李新通 ;
江四九 .
中国专利 :CN106744966A ,2017-05-31
[8]
高分散纳米碳化硅及其制备方法 [P]. 
陈青华 ;
伍小波 ;
房冰 ;
肖旦 ;
汤志龙 .
中国专利 :CN109607539A ,2019-04-12
[9]
一种纳米碳化硅的制备方法 [P]. 
王佳丽 ;
万玲 ;
张铭 ;
李如龙 ;
杨启炜 .
中国专利 :CN116573646B ,2025-12-02
[10]
一种制备纳米碳化硅的方法 [P]. 
张德 ;
徐建梅 ;
苏言杰 .
中国专利 :CN101157452A ,2008-04-09