一种纳米碳化硅的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310493744.0

申请日：

2023-04-28

公开(公告)号：

CN116573646B

公开(公告)日：

2025-12-02

发明(设计)人：

王佳丽万玲张铭李如龙杨启炜

申请人：

衢州昂氪科技有限公司浙江大学衢州研究院

申请人地址：

324000 浙江省衢州市春城路15号105-1室

IPC主分类号：

C01B32/977

IPC分类号：

B82Y40/00

代理机构：

北京高沃律师事务所 11569

代理人：

王苗苗

法律状态：

授权

国省代码：

浙江省杭州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-02	授权	授权
2025-02-21	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移IPC(主分类):C01B 32/977登记生效日:20250205变更事项:申请人变更前权利人:衢州晶洲科技发展有限公司变更后权利人:衢州昂氪科技有限公司变更事项:国家或地区变更前权利人:中国变更后权利人:中国变更事项:地址变更前权利人:324000 浙江省衢州市春城路15号624室变更后权利人:324000 浙江省衢州市春城路15号105-1室变更事项:申请人变更前权利人:浙江大学衢州研究院变更后权利人:浙江大学衢州研究院变更事项:国家或地区变更前权利人:中国变更后权利人:中国

共 50 条

[1]

一种制备纳米碳化硅的方法 [P].

张德 ;

徐建梅 ;

苏言杰 .

中国专利 :CN101157452A ,2008-04-09

[2]

一种纳米碳化硅的制备方法 [P].

于迎涛 ;

李杰 ;

刘云鹏 .

中国专利 :CN106076595B ,2016-11-09

[3]

一种β-纳米碳化硅的制备方法 [P].

郭向云 ;

郝建英 ;

靳国强 ;

王英勇 ;

童希立 .

中国专利 :CN102432013B ,2012-05-02

[4]

一种纳米碳化硅的制备方法 [P].

马文会 ;

谢江生 ;

魏奎先 ;

秦博 ;

伍继君 ;

谢克强 ;

周阳 ;

龙萍 ;

杨斌 ;

戴永年 .

中国专利 :CN103232038A ,2013-08-07

[5]

纳米碳化硅陶瓷的制备方法 [P].

郭兴忠 ;

杨辉 ;

李海淼 ;

朱潇怡 ;

高黎华 ;

傅培鑫 .

中国专利 :CN101182211B ,2008-05-21

[6]

纳米碳化硅及其制备方法 [P].

张浩杰 .

中国专利 :CN107963631A ,2018-04-27

[7]

一种碳化硅的制备方法 [P].

星野政宏 .

中国专利 :CN103539122A ,2014-01-29

[8]

一种碳化硅的制备方法 [P].

星野政宏 ;

张乐年 .

中国专利 :CN103833035A ,2014-06-04

[9]

碳化硅结构及其制备方法、碳化硅环 [P].

张珉硕 .

中国专利 :CN118600390A ,2024-09-06

[10]

一种纳米碳化硅材料的制备方法 [P].

许宁生 ;

吴志盛 ;

邓少芝 ;

周军 .

中国专利 :CN1164488C ,2001-12-26

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