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一种低温制备纳米碳化硅的方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201910227916.3
申请日：
2019-03-25
公开(公告)号：
CN109748282B
公开(公告)日：
2019-05-14
发明(设计)人：
孙蔷 王增榕
申请人：
申请人地址：
110819 辽宁省沈阳市和平区文化路三巷11号
IPC主分类号：
C01B3297
IPC分类号：
B82Y4000 H01M458 H01M100525 B01J3200
代理机构：
大连理工大学专利中心 21200
代理人：
陈玲玉;梅洪玉
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2019-05-14 公开 公开
2019-06-07 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 32/97 申请日:20190325
2021-08-13 授权 授权
共 50 条
[1]
一种纳米碳化硅的制备方法 [P]. 
马文会 ;
谢江生 ;
魏奎先 ;
秦博 ;
伍继君 ;
谢克强 ;
周阳 ;
龙萍 ;
杨斌 ;
戴永年 .
中国专利 :CN103232038A ,2013-08-07
[2]
一种低温制备片层状纳米碳化硅的方法 [P]. 
王芬 ;
赵渊博 ;
焦宇鸿 ;
杨晨辉 ;
朱建锋 ;
杨海波 ;
林营 ;
郑义兵 .
中国专利 :CN104528724A ,2015-04-22
[3]
一种以含硅生物质为原料低温制备纳米碳化硅的方法及所制备得到的纳米碳化硅 [P]. 
霍开富 ;
高标 ;
苏建君 ;
付继江 ;
张旭明 .
中国专利 :CN104692387B ,2015-06-10
[4]
一种纳米碳化硅的制备方法 [P]. 
于迎涛 ;
李杰 ;
刘云鹏 .
中国专利 :CN106076595B ,2016-11-09
[5]
一种低温合成纳米碳化硅的方法 [P]. 
郑翠红 ;
杨啸峰 ;
杨明明 ;
刘巍山 ;
方道来 ;
冒爱琴 .
中国专利 :CN114735704A ,2022-07-12
[6]
一种低温合成纳米碳化硅的方法 [P]. 
郑翠红 ;
杨啸峰 ;
杨明明 ;
刘巍山 ;
方道来 ;
冒爱琴 .
中国专利 :CN114735704B ,2024-01-05
[7]
一种低温制备立方碳化硅纳米线的方法 [P]. 
钱逸泰 ;
鞠治成 ;
邢政 ;
徐立强 ;
马小健 .
中国专利 :CN100560487C ,2008-05-14
[8]
一种纳米碳化硅的制备方法 [P]. 
王佳丽 ;
万玲 ;
张铭 ;
李如龙 ;
杨启炜 .
中国专利 :CN116573646B ,2025-12-02
[9]
一种制备纳米碳化硅的方法 [P]. 
张德 ;
徐建梅 ;
苏言杰 .
中国专利 :CN101157452A ,2008-04-09
[10]
一种β-纳米碳化硅的制备方法 [P]. 
郭向云 ;
郝建英 ;
靳国强 ;
王英勇 ;
童希立 .
中国专利 :CN102432013B ,2012-05-02
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