一种低温合成纳米碳化硅的方法

被引：0

申请号：

CN202210579171.9

申请日：

2022-05-25

公开(公告)号：

CN114735704A

公开(公告)日：

2022-07-12

发明(设计)人：

郑翠红杨啸峰杨明明刘巍山方道来冒爱琴

申请人：

申请人地址：

243002 安徽省马鞍山市花山区湖东路59号

IPC主分类号：

C01B32977

IPC分类号：

C01B32984 C01B33021 B82Y4000

代理机构：

安徽顺超知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 34120

代理人：

徐文恭

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-12	公开	公开
2022-07-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 32/977 申请日:20220525

共 50 条

[1]

一种低温合成纳米碳化硅的方法 [P].

郑翠红 ;

杨啸峰 ;

杨明明 ;

刘巍山 ;

方道来 ;

冒爱琴 .

中国专利 :CN114735704B ,2024-01-05

[2]

一种低温制备纳米碳化硅的方法 [P].

孙蔷 ;

王增榕 .

中国专利 :CN109748282B ,2019-05-14

[3]

一种纳米碳化硅的制备方法 [P].

王佳丽 ;

万玲 ;

张铭 ;

李如龙 ;

杨启炜 .

中国专利 :CN116573646B ,2025-12-02

[4]

一种低温辅助反应诱发合成碳化硅或碳化硅纳米管的方法 [P].

白玉俊 ;

毕见强 ;

朱慧灵 ;

韩福东 ;

孟祥林 ;

张波 .

中国专利 :CN101525135B ,2009-09-09

[5]

一种针状纳米碳化硅的合成方法 [P].

陈建军 .

中国专利 :CN1861521A ,2006-11-15

[6]

一种低温合成的高表面碳化硅新材料 [P].

丁维平 ;

梁宸嘉 ;

赵锐瑶 ;

侯晓霞 ;

郭向可 ;

薛念华 ;

彭路明 ;

郭学锋 ;

祝艳 .

中国专利 :CN120133514A ,2025-06-13

[7]

一种低温合成高比表面介孔碳化硅的方法及碳化硅产品 [P].

姚建峰 ;

张雄飞 ;

陈越峰 .

中国专利 :CN107188181A ,2017-09-22

[8]

一种低温合成碳化硅的原料配方及方法 [P].

魏可镁 ;

郑勇 ;

郑瑛 ;

王榕 .

中国专利 :CN100443405C ,2007-09-26

[9]

一种碳化硅纳米棒的制备方法 [P].

梁彤祥 ;

李辰砂 ;

付志强 ;

罗天勇 ;

唐春和 .

中国专利 :CN1436724A ,2003-08-20

[10]

一种低温制备片层状纳米碳化硅的方法 [P].

王芬 ;

赵渊博 ;

焦宇鸿 ;

杨晨辉 ;

朱建锋 ;

杨海波 ;

林营 ;

郑义兵 .

中国专利 :CN104528724A ,2015-04-22

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