GaN增强型HEMT和增强型GaN FET

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201820033388.9

申请日：

2018-01-09

公开(公告)号：

CN208315552U

公开(公告)日：

2019-01-01

发明(设计)人：

阿布舍克·班纳吉皮特·莫昂戈登·M·格里芙尼亚

申请人：

申请人地址：

美国亚利桑那州

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

代理机构：

北京派特恩知识产权代理有限公司 11270

代理人：

王娜丽;姚开丽

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-01-01	授权	授权

共 50 条

[1]

增强型GaN HEMT器件 [P].

汪洋 ;

左朋 ;

王世卓荦 ;

杨浩军 ;

王晓晖 ;

丁国建 ;

张宇超 ;

冯琦 ;

王海玲 ;

贾海强 ;

陈弘 .

中国专利 :CN212257405U ,2020-12-29

[2]

一种增强型GaN HEMT器件 [P].

尹雪兵 ;

程涛 ;

柳俊 .

中国专利 :CN222261076U ,2024-12-27

[3]

增强型GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

郁发新 ;

莫炯炯 ;

王志宇 .

中国专利 :CN111584628B ,2020-08-25

[4]

增强型GaN HEMT的制备方法 [P].

张韵 ;

杨秀霞 ;

张连 ;

程哲 .

中国专利 :CN107887435A ,2018-04-06

[5]

一种增强型GaN HEMT器件 [P].

朱仁强 ;

罗鹏 ;

刘勇 ;

刘家才 ;

秦尧 .

中国专利 :CN221596458U ,2024-08-23

[6]

增强型GaN HEMT双向阻断功率器件 [P].

王中旭 .

中国专利 :CN113594246A ,2021-11-02

[7]

增强型GaN HEMT器件及其形成方法 [P].

孙鹏 .

中国专利 :CN118016707A ,2024-05-10

[8]

增强型GaN功率器件 [P].

魏进 ;

杨俊杰 .

中国专利 :CN119342873A ,2025-01-21

[9]

GaN增强型遂穿HEMT及通过自对准实现GaN增强型遂穿HEMT的方法 [P].

张志利 ;

蔡勇 ;

张宝顺 ;

付凯 ;

于国浩 ;

孙世闯 ;

宋亮 ;

邓旭光 .

中国专利 :CN106531788A ,2017-03-22

[10]

一种增强型GaN器件 [P].

黎明 .

中国专利 :CN205303470U ,2016-06-08

← 1 2 3 4 5 →