一种增强型GaN器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201521105640.5

申请日：

2015-12-25

公开(公告)号：

CN205303470U

公开(公告)日：

2016-06-08

发明(设计)人：

黎明

申请人：

申请人地址：

610000 四川省成都市双流县西南航空港经济开发区物联网产业园内

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

成都华风专利事务所(普通合伙) 51223

代理人：

胡川

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-06-08	授权	授权

共 50 条

[1]

一种增强型GaN HEMT器件 [P].

尹雪兵 ;

程涛 ;

柳俊 .

中国专利 :CN222261076U ,2024-12-27

[2]

增强型GaN功率器件 [P].

魏进 ;

杨俊杰 .

中国专利 :CN119342873A ,2025-01-21

[3]

增强型GaN HEMT器件 [P].

汪洋 ;

左朋 ;

王世卓荦 ;

杨浩军 ;

王晓晖 ;

丁国建 ;

张宇超 ;

冯琦 ;

王海玲 ;

贾海强 ;

陈弘 .

中国专利 :CN212257405U ,2020-12-29

[4]

GaN增强型HEMT和增强型GaN FET [P].

阿布舍克·班纳吉 ;

皮特·莫昂 ;

戈登·M·格里芙尼亚 .

中国专利 :CN208315552U ,2019-01-01

[5]

一种增强型GaN HEMT器件 [P].

朱仁强 ;

罗鹏 ;

刘勇 ;

刘家才 ;

秦尧 .

中国专利 :CN221596458U ,2024-08-23

[6]

一种增强型AlN/AlGaN/GaN HEMT器件 [P].

李国强 ;

孙佩椰 ;

陈丁波 ;

万利军 ;

阙显沣 ;

姚书南 .

中国专利 :CN210429824U ,2020-04-28

[7]

一种GaN增强耗尽型MOS‑HEMT器件 [P].

黎明 .

中国专利 :CN205680686U ,2016-11-09

[8]

一种增强型GaN基HEMT器件 [P].

陈丽香 ;

孙云飞 ;

孙佳惟 ;

阙妙玲 ;

吴靖 ;

刘传洋 .

中国专利 :CN113809150A ,2021-12-17

[9]

增强型GaN基功率器件及其制备方法 [P].

张卫 ;

卢红亮 ;

黄伟 ;

蒋西西 .

中国专利 :CN109545851A ,2019-03-29

[10]

一种新型增强型GaN HEMT器件结构 [P].

翁加付 ;

周炳 .

中国专利 :CN112968059B ,2021-06-15

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