纳米晶、纳米晶组合物、发光装置及纳米晶的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911196650.7

申请日：

2019-11-29

公开(公告)号：

CN110993808B

公开(公告)日：

2020-04-10

发明(设计)人：

张振星

申请人：

申请人地址：

310052 浙江省杭州市滨江区长河街道秋溢路428号3幢3楼

IPC主分类号：

H01L5150

IPC分类号：

H01L5154 C01G902 C01G900 C01F730 C01F506 B82Y1000 B82Y3000

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-07-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/50 申请日:20191129
2020-04-10	公开	公开
2022-09-13	授权	授权

共 50 条

[1]

纳米晶及纳米晶的制备方法 [P].

汪均 ;

袁秀玲 ;

苏叶华 ;

乔培胜 .

中国专利 :CN111410961A ,2020-07-14

[2]

纳米晶的制备方法、纳米晶及其应用 [P].

周健海 ;

贾轩睿 ;

冯晓博 .

中国专利 :CN114854417B ,2024-02-09

[3]

纳米晶的制备方法、纳米晶及其应用 [P].

周健海 ;

贾轩睿 ;

冯晓博 .

中国专利 :CN114854417A ,2022-08-05

[4]

纳米晶的制备方法及由其制备的纳米晶 [P].

单玉亮 ;

杨涵妮 ;

曹越峰 ;

邝青霞 ;

王允军 .

中国专利 :CN110511737B ,2024-01-02

[5]

纳米晶的制备方法及由其制备的纳米晶 [P].

单玉亮 ;

杨涵妮 ;

曹越峰 ;

邝青霞 ;

王允军 .

中国专利 :CN110511737A ,2019-11-29

[6]

纳米晶的制备方法、纳米晶及含其的光学膜、发光器件 [P].

胡保忠 ;

高远 ;

李光旭 ;

赵滔 .

中国专利 :CN113969164A ,2022-01-25

[7]

纳米晶的制备方法、纳米晶及含其的光学膜、发光器件 [P].

胡保忠 ;

高远 ;

李光旭 ;

赵滔 .

中国专利 :CN113969164B ,2024-02-09

[8]

具有反应活性的纳米晶、纳米晶光刻液、电致发光纳米晶层及其制备方法、电致发光器件 [P].

马卜 ;

魏玮峣 ;

吴静菲 ;

李敬群 ;

黄龙 ;

王允军 .

中国专利 :CN118344871A ,2024-07-16

[9]

具有反应活性的纳米晶、纳米晶光刻液、电致发光纳米晶层及其制备方法、电致发光器件 [P].

马卜 ;

魏玮峣 ;

吴静菲 ;

李敬群 ;

黄龙 ;

王允军 .

中国专利 :CN118344871B ,2025-10-31

[10]

磷化铟纳米晶的制备方法及磷化铟纳米晶 [P].

单玉亮 ;

陈钦越 ;

朱可可 ;

陈文浩 ;

曹佳佳 ;

王允军 .

中国专利 :CN116410748B ,2024-07-09

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