纳米晶的制备方法、纳米晶及含其的光学膜、发光器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110130341.0

申请日：

2021-01-29

公开(公告)号：

CN113969164A

公开(公告)日：

2022-01-25

发明(设计)人：

胡保忠高远李光旭赵滔

申请人：

申请人地址：

310052 浙江省杭州市滨江区长河街道秋溢路428号3幢3楼

IPC主分类号：

C09K1102

IPC分类号：

C09K1162 C09K1156 C09K1170 C09K1188 B82Y3000 B82Y4000 H01L3350

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-25	公开	公开
2022-02-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C09K 11/02 申请日:20210129

共 50 条

[1]

纳米晶的制备方法、纳米晶及含其的光学膜、发光器件 [P].

胡保忠 ;

高远 ;

李光旭 ;

赵滔 .

中国专利 :CN113969164B ,2024-02-09

[2]

纳米晶的制备方法及由其制备的纳米晶 [P].

单玉亮 ;

杨涵妮 ;

曹越峰 ;

邝青霞 ;

王允军 .

中国专利 :CN110511737A ,2019-11-29

[3]

纳米晶的制备方法及由其制备的纳米晶 [P].

单玉亮 ;

杨涵妮 ;

曹越峰 ;

邝青霞 ;

王允军 .

中国专利 :CN110511737B ,2024-01-02

[4]

纳米晶、纳米晶组合物、发光装置及纳米晶的制备方法 [P].

张振星 .

中国专利 :CN110993808B ,2020-04-10

[5]

氧化锌纳米晶、其制备方法、包含其的纳米晶组合物及量子点发光器件 [P].

高远 ;

谢松均 ;

彭军军 .

中国专利 :CN109509841B ,2019-03-22

[6]

具有反应活性的纳米晶、纳米晶光刻液、电致发光纳米晶层及其制备方法、电致发光器件 [P].

马卜 ;

魏玮峣 ;

吴静菲 ;

李敬群 ;

黄龙 ;

王允军 .

中国专利 :CN118344871A ,2024-07-16

[7]

具有反应活性的纳米晶、纳米晶光刻液、电致发光纳米晶层及其制备方法、电致发光器件 [P].

马卜 ;

魏玮峣 ;

吴静菲 ;

李敬群 ;

黄龙 ;

王允军 .

中国专利 :CN118344871B ,2025-10-31

[8]

纳米晶及纳米晶的制备方法 [P].

汪均 ;

袁秀玲 ;

苏叶华 ;

乔培胜 .

中国专利 :CN111410961A ,2020-07-14

[9]

CsPbX3纳米晶、其制备方法及相应发光器件 [P].

李艳 ;

薛炜楠 ;

朱唯 .

中国专利 :CN111234807A ,2020-06-05

[10]

磷化铟纳米晶的制备方法及由其制备的磷化铟纳米晶 [P].

单玉亮 ;

曹越峰 ;

邝青霞 ;

杨涵妮 ;

王允军 .

中国专利 :CN112280557A ,2021-01-29

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