层状FeAs、其制备方法及由此剥离的FeAs纳米片

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专利类型
发明
申请号
CN201910420863.7
申请日
2019-05-20
公开(公告)号
CN110498448B
公开(公告)日
2019-11-26
发明(设计)人
沈祐永 千东源 金慧修 元钟氾
申请人
申请人地址
韩国首尔市
IPC主分类号
C01G4900
IPC分类号
B82Y3000 B82Y4000
代理机构
北京派特恩知识产权代理有限公司 11270
代理人
陈万青;姚开丽
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
层状GaAs、其制备方法及由此剥离的GaAs纳米片 [P]. 
沈祐永 ;
崔相珍 ;
金慧修 .
中国专利 :CN110498445B ,2019-11-26
[2]
层状GaAs及由此剥离的GaAs纳米片 [P]. 
沈祐永 ;
崔相珍 ;
金慧修 .
中国专利 :CN113912112A ,2022-01-11
[3]
一种剥离层状材料纳米片的方法及设备 [P]. 
董文英 ;
孙俪 .
中国专利 :CN111099580A ,2020-05-05
[4]
利用气体分子辅助插层-剥离制备纳米片的方法及纳米片 [P]. 
张晓东 ;
刘文秀 ;
王辉 ;
谢毅 .
中国专利 :CN113213546A ,2021-08-06
[5]
剥离法制备石墨烯纳米片的方法 [P]. 
樊小强 ;
李文 ;
付汉敏 ;
姚遥 ;
严涵 ;
朱旻昊 .
中国专利 :CN108423669A ,2018-08-21
[6]
层状铂酸盐、层状铂酸、铂酸纳米片、铂纳米片及它们的制造方法 [P]. 
滝本大裕 ;
杉本涉 .
日本专利 :CN118317923A ,2024-07-09
[7]
多元金属纳米片、其制备方法及应用 [P]. 
姜楠 ;
闫旭鹏 ;
王强 ;
任志博 ;
孙国辉 ;
吕沫 ;
苏卫东 ;
陈雁凯 ;
李明坤 ;
赵丽敏 ;
郄占宇 ;
靳权成 ;
董帅 ;
石永利 ;
王金意 ;
郭伟琦 ;
卢启辰 ;
王菊 .
中国专利 :CN119703048A ,2025-03-28
[8]
多元金属纳米片、其制备方法及应用 [P]. 
姜楠 ;
闫旭鹏 ;
王强 ;
任志博 ;
孙国辉 ;
吕沫 ;
苏卫东 ;
陈雁凯 ;
李明坤 ;
赵丽敏 ;
郄占宇 ;
靳权成 ;
董帅 ;
石永利 ;
王金意 ;
郭伟琦 ;
卢启辰 ;
王菊 .
中国专利 :CN119703048B ,2025-09-05
[9]
制备金属纳米片的方法及金属纳米片 [P]. 
伍晖 ;
房明浩 ;
刘瀚文 ;
唐浩 .
中国专利 :CN105774120B ,2016-07-20
[10]
片层状硒化钴纳米片阵列电极的自主装制备方法 [P]. 
王中旭 .
中国专利 :CN113593918B ,2021-11-02