层状GaAs及由此剥离的GaAs纳米片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111382861.7

申请日：

2019-05-20

公开(公告)号：

CN113912112A

公开(公告)日：

2022-01-11

发明(设计)人：

沈祐永崔相珍金慧修

申请人：

申请人地址：

韩国首尔市

IPC主分类号：

C01G2800

IPC分类号：

B82Y4000

代理机构：

北京派特恩知识产权代理有限公司 11270

代理人：

陈万青;李雪

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-11	公开	公开
2022-01-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01G 28/00 申请日:20190520

共 50 条

[1]

层状GaAs、其制备方法及由此剥离的GaAs纳米片 [P].

沈祐永 ;

崔相珍 ;

金慧修 .

中国专利 :CN110498445B ,2019-11-26

[2]

层状FeAs、其制备方法及由此剥离的FeAs纳米片 [P].

沈祐永 ;

千东源 ;

金慧修 ;

元钟氾 .

中国专利 :CN110498448B ,2019-11-26

[3]

一种剥离层状材料纳米片的方法及设备 [P].

董文英 ;

孙俪 .

中国专利 :CN111099580A ,2020-05-05

[4]

层状铂酸盐、层状铂酸、铂酸纳米片、铂纳米片及它们的制造方法 [P].

滝本大裕 ;

杉本涉 .

日本专利 :CN118317923A ,2024-07-09

[5]

利用气体分子辅助插层-剥离制备纳米片的方法及纳米片 [P].

张晓东 ;

刘文秀 ;

王辉 ;

谢毅 .

中国专利 :CN113213546A ,2021-08-06

[6]

剥离层状材料并尺寸筛选分离二维纳米片的方法及设备 [P].

杨诚 ;

刘康伟 ;

梁斌 .

中国专利 :CN110040728A ,2019-07-23

[7]

层状MOF纳米片复合膜 [P].

杨维慎 ;

杨昆 ;

李砚硕 ;

彭媛 .

中国专利 :CN108114612B ,2018-06-05

[8]

一种硅酸钙纳米化及纳米片剥离的方法 [P].

裘益奇 ;

王家邦 ;

裘茂法 ;

卢建军 ;

洪加 ;

于富忠 ;

叶圣陶 ;

郝敏 ;

王一 ;

楼斌 .

中国专利 :CN117361550A ,2024-01-09

[9]

GaAs半导体激光器外延片及其制备方法 [P].

于颖 ;

吴德华 ;

赵凯迪 ;

朱凯 ;

贾鑫 .

中国专利 :CN120638033A ,2025-09-12

[10]

一种二维层状纳米材料的剥离方法 [P].

王怡婷 ;

华瑞年 ;

蒋忆 .

中国专利 :CN118026109A ,2024-05-14

← 1 2 3 4 5 →