可减少反应腔室沉积物的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410089398.7

申请日：

2004-12-10

公开(公告)号：

CN1787182A

公开(公告)日：

2006-06-14

发明(设计)人：

卓震宇孙炳云吕明政

申请人：

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号

IPC主分类号：

H01L213065

IPC分类号：

H01L21306 H01L2100 C23F400 C23F100

代理机构：

上海光华专利事务所

代理人：

余明伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-08-09	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-07-09	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2006-06-14	公开	公开

共 50 条

[1]

减少金属刻蚀工艺反应腔室产生沉积物的方法 [P].

张双熏 .

中国专利 :CN101285189A ,2008-10-15

[2]

减少燃烧室沉积物剥落的方法 [P].

A·A·阿拉迪 ;

J·B·史密斯 .

中国专利 :CN101914397A ,2010-12-15

[3]

减少燃烧室沉积物剥落的方法 [P].

A·A·阿拉迪 ;

J·B·史密斯 .

中国专利 :CN1637120A ,2005-07-13

[4]

减少碳沉积物形成的方法 [P].

H·沃尔德 ;

G·兹墨曼 ;

C·斯特巴特 ;

F·R·范布恩 ;

R·J·N·果曼斯 ;

J·J·琼斯 .

中国专利 :CN1201480A ,1998-12-09

[5]

用于去除表面沉积物的远距腔室法 [P].

H·H·萨温 ;

B·白 .

中国专利 :CN101163816A ,2008-04-16

[6]

用于去除表面沉积物的远距腔室法 [P].

H·H·萨温 ;

B·白 .

中国专利 :CN101052742A ,2007-10-10

[7]

用于去除表面沉积物的远距腔室法 [P].

H·H·萨温 ;

B·白 .

中国专利 :CN101044262A ,2007-09-26

[8]

用于减少进气阀沉积物的方法 [P].

R·F·克拉克内尔 ;

J·M·拉索 ;

A·A·阿拉迪 ;

A·科尔贝克 .

中国专利 :CN114502699A ,2022-05-13

[9]

半导体设备腔室、用于腔室的系统和沉积物状态控制方法 [P].

焦明洁 ;

郝志杰 ;

高峰 ;

白洪元 .

中国专利 :CN111463143A ,2020-07-28

[10]

减少聚合容器中的沉积物的方法 [P].

T·D·谢弗 ;

P·J·赖特 ;

D·J·戴维斯 ;

M·F·麦克唐纳 .

中国专利 :CN101778875B ,2010-07-14

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