一种分立MOSFET构成的半桥驱动电路

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710102011.4

申请日：

2017-02-24

公开(公告)号：

CN106655867A

公开(公告)日：

2017-05-10

发明(设计)人：

张惠国顾涵周平陈琪

申请人：

申请人地址：

215500 江苏省苏州市常熟市南三环99号

IPC主分类号：

H02M75387

IPC分类号：

H02M75395

代理机构：

苏州创元专利商标事务所有限公司 32103

代理人：

范晴

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-05-10	公开	公开
2017-06-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101724565901 IPC(主分类):H02M 7/5387 专利申请号:2017101020114 申请日:20170224

共 50 条

[1]

一种分立MOSFET构成的半桥驱动电路 [P].

张惠国 ;

顾涵 ;

周平 ;

陈琪 .

中国专利 :CN206472048U ,2017-09-05

[2]

一种半桥驱动电路 [P].

李建秋 ;

谷靖 ;

欧阳明高 ;

卢东斌 ;

方川 ;

朱妮 .

中国专利 :CN102064729B ,2011-05-18

[3]

MOSFET半桥驱动电路 [P].

唐杰 .

中国专利 :CN203840191U ,2014-09-17

[4]

高速MOSFET半桥栅驱动电路 [P].

丁浩宸 ;

杨超 ;

陈志阳 ;

徐彩云 .

中国专利 :CN114244083A ,2022-03-25

[5]

半桥驱动电路及半桥驱动电路的控制方法 [P].

黄超生 ;

杨坚 ;

黄朝晟 ;

邹今检 .

中国专利 :CN119921546A ,2025-05-02

[6]

一种半桥驱动电路 [P].

任文军 .

中国专利 :CN117458842A ,2024-01-26

[7]

一种半桥驱动电路 [P].

任文军 .

中国专利 :CN117458842B ,2024-03-08

[8]

一种半桥驱动电路 [P].

谭在超 ;

涂才根 ;

罗寅 ;

丁国华 .

中国专利 :CN115021531A ,2022-09-06

[9]

半桥驱动电路 [P].

朱袁正 ;

支强 ;

高金东 ;

张惠国 .

中国专利 :CN105322948A ,2016-02-10

[10]

一种SiC MOSFET半桥电路驱动器以及半桥电路驱动方法 [P].

高峰 ;

周琦 .

中国专利 :CN104506028B ,2015-04-08

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