高速MOSFET半桥栅驱动电路

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111555228.3

申请日：

2021-12-17

公开(公告)号：

CN114244083A

公开(公告)日：

2022-03-25

发明(设计)人：

丁浩宸杨超陈志阳徐彩云

申请人：

申请人地址：

214035 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A10栋215、216室

IPC主分类号：

H02M1088

IPC分类号：

H02M307

代理机构：

苏州国诚专利代理有限公司 32293

代理人：

韩凤

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-25	公开	公开
2022-04-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H02M 1/088 申请日:20211217

共 50 条

[1]

高压半桥栅驱动电路 [P].

陈珍海 ;

王民安 ;

宁仁霞 ;

何宁业 ;

许媛 ;

项建辉 ;

郑科峰 ;

汪礼 ;

鲍婕 ;

吕海江 ;

郑春鸣 ;

王志亮 .

中国专利 :CN111490667B ,2020-08-04

[2]

输出电阻可编程MOSFET半桥栅驱动电路 [P].

杨超 ;

陈志阳 ;

丁浩宸 .

中国专利 :CN117674793A ,2024-03-08

[3]

超高速绝缘隔离GaN半桥栅驱动电路 [P].

周德金 ;

徐宏 ;

黄伟 ;

陈珍海 ;

马君健 ;

李亮 .

中国专利 :CN113098471B ,2021-07-09

[4]

MOSFET半桥驱动电路 [P].

唐杰 .

中国专利 :CN203840191U ,2014-09-17

[5]

用于增强型GaN HEMT的高频智能半桥栅驱动电路 [P].

周德金 ;

黄伟 ;

卢红亮 ;

张卫 .

中国专利 :CN113541451B ,2021-10-22

[6]

用于高压半桥栅驱动电路的自举电路及驱动电路 [P].

祝靖 ;

陆扬扬 ;

王浩 ;

孙伟锋 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN107800281A ,2018-03-13

[7]

超高压绝缘隔离IGBT半桥栅驱动电路 [P].

周德金 ;

马君健 ;

黄伟 ;

陈珍海 .

中国专利 :CN113078801B ,2021-07-06

[8]

高压半桥驱动电路 [P].

刘雨鑫 ;

张豪 ;

郑怀仓 .

中国专利 :CN109951060B ,2019-06-28

[9]

一种分立MOSFET构成的半桥驱动电路 [P].

张惠国 ;

顾涵 ;

周平 ;

陈琪 .

中国专利 :CN106655867A ,2017-05-10

[10]

半桥驱动电路 [P].

万卿 ;

王耀强 ;

余同春 ;

彭强 ;

胡禹 .

中国专利 :CN222763773U ,2025-04-15

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